Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом

  • Богатов Н.М. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Корнеев А.И. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Матвеякин М.П. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Родоманов Р.Р. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
УДК: 621.383.51

Аннотация

Спектральные характеристики кремниевых солнечных элементов с субмикронным несимметричным p-n-переходом исследованы в нестационарном режиме. Определено характерное время накопления неравновесного заряда на границе SiO2-Si. Метод позволяет контролировать однородность электронных свойств границы раздела диэлектрик-полупроводник.

Информация об авторах

Николай Маркович Богатов
д-р. физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета
Антон Игоревич Корнеев
аспирант кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета
Михаил Петрович Матвеякин
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета
Роман Робертович Родоманов
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

Литература

  1. Willeke G.P. Thin crystalline silicon solar cells // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2002. Vol. 72. Iss. 1-4. P. 191-200.
  2. Zhao J. Recent advances of high-efficiency single crystalline silicon solar cells in processing technologies and substrate materials // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2004. Vol. 82. Iss. 1-2. P. 53-64.
  3. Agostinelli G., Delabie A., Vitanov P., Alexieva Z., Dekkers H.F.W., De Wolf S., Beaucarne G. Very low surface recombination velocities on p-type silicon wafers passivated with a dielectric with fixed negative charge // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2006. Vol. 90. Iss. 18-19. P. 3438-3443.
  4. Majumdar D., Dutta S.K., Chatterjee S., Saha H. Effect of controlled dopant distribution in thin silicon solar cell // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2004. Vol. 81. Iss. 4. P. 459-468.
  5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с.
  6. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с.
  7. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: НТЛ, 2000. 426 с.
  8. Jain S.C., Heasell E.L., Roulston D.J. Recent advances in the physics of silicon PN junction solar cells including theire transient response // Progr. Quant. Electron. 1987. Vol. 11. Iss. 2. P. 105-204.
  9. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. М.: Энергоатомиздат, 1987. 280 с.
  10. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. 280 с.
  11. Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р., Яковенко Н.А. Автоматизация измерений спектральных характеристик двусторонних солнечных элементов // Автометрия. 2003. Т. 39. №6. С. 68-77.
  12. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Исследование влияния неравновесного заряда границы SiO2-Si на динамику спектральной чувствиительности солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Известия вузов. Сев.-Кавказ. регион. Технические науки. 2006. №2. С. 52-54.
  13. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: МГУ, 1999. 284 с.
  14. Cousins P.J., Cotter J.E. Minimizing lifetime degradation associated with thermal oxidation of upright randomly textured silicon surfaces // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2005. Vol. 90. Iss. 2. P. 228-240.
Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом
Выпуск
Страницы
63-67
Раздел
Физика
Прислано
2006-09-26
Опубликовано
2006-12-25

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

1 2 > >>