Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду фотоэдс

  • Богатов Н.М. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Матвеякин М.П. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Першин Н.В. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Родоманов Р.Р. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
УДК: 621.383.51

Аннотация

Фотоэдс $U_{oc}$ кремниевых фотоэлектрических преобразователей с субмикронным несимметричным p-n-переходом исследована в нестационарном режиме. Зависимость $U_{oc}(t)$ объясняется релаксацией неравновесного поверхностного заряда на границе Si-SiO2 с характерным значением времени $\tau\sim 1$ с.

Ключевые слова: полупроводниковые структуры, фотоэлектрические преобразователи, поверхностные состояния, неравновесный заряд

Информация об авторах

Николай Маркович Богатов
д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: bogatov@phys.kubsu.ru
Михаил Петрович Матвеякин
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета
Николай Владимирович Першин
аспирант кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета
Роман Робертович Родоманов
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

Литература

  1. Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р., Яковенко Н.А. Автоматизация измерений спектральных характеристик двусторонних солнечных элементов // Автометрия. 2003. Т. 39. №6. С. 68-77.
  2. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Исследование влияния неравновесного заряда границы SiO2-Si на динамику спектральной чувствительности солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Известия вузов. Сев.-Кавказ. регион. Технические науки. 2006. №2. С. 52-54.
  3. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2006. №4. С. 63-67.
  4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с.
  5. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с.
  6. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: НТЛ, 2000. 426 с.
  7. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. Школа, 1987. 239 с.
  8. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: МГУ, 1999. 284 с.
  9. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. 280 с.
Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду фотоэдс
Выпуск
Страницы
56-60
Раздел
Физика
Прислано
2008-03-18
Опубликовано
2008-06-30

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

1 2 > >>