Дефектообразование в монокристаллическом кремнии при нейтронном и протонном облучении

  • Онищук С.А. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
УДК: 621.383

Аннотация

Исследовано сравнительное дефектообразование в монокристаллических кремниевых структурах, имеющих p-n-переход, под воздействием облучения протонами и нейтронами. Структуры были облучены быстрыми нейтронами со средней энергией 2,2 МэВ флюенсами 1011, 1012, 1013, 1014 н/см-2 и протонами со средней энергией 20,0 МэВ флюенсами 3·1010, 3·1011, 3·1012 и 3·1013 пр/см-2. Информация о дефектообразовании в материале получена с помощью световых и темновых вольтамперных характеристик и спектральной чувствительности. Установлено, что при облучении и протонами, и нейтронами эти характеристики изменяются подобным образом, причем при одинаковых флюенсах используемых протонов и нейтронов концентрация дефектов в кремниевых структурах при облучении протонами значительно больше, чем при облучении нейтронами.

Ключевые слова: кремний, дефектообразование, облучение протонами и нейтронами

Информация об авторе

Сергей Алексеевич Онищук
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: onishchuk@phys.kubsu.ru

Литература

  1. Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 919-921.
  2. Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П., Соколовский И.О. Квадратичная рекомбинация в кремнии, и ее влияние на объемное время жизни // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 3. С. 290-294.
  3. Азаров А.Ю., Титов А.И. Накопление структурных нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами PFn+ средних энергий // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 1. С. 7-12.
  4. Баранов П.Г.,Ионов А.Н., Ильин И.В., Копьев П.С., Мохов Е.Н., Храмцов В.А. Электронный парамагнитный резонанс в нейтронно-легированных полупроводниках с измененным изотопным составом // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 6. С. 984-995.
  5. Пагава Т.А. Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 4. С. 424-425.
  6. Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. М.: Атомиздат, 1975. 128 с.
  7. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Л., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.: Атомиздат, 1971. 176 с.
  8. Устюжанинов В.Н., Чепиженко А.3. Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемам. М.:Радио и связь, 1989. 144 с.
  9. Кинчин Г.Н., Пиз Р.С. Смещение атомов в твердых телах под воздействием излучения // УФН. 1956. Т. 60. Вып. 4. С. 590.
  10. Бадылевич М.Ю., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Немонотонные изменения концентраций радиационных дефектов донорного и акцепторного типа в кремнии, индуцируемые потоками β-частиц малой интенсивности // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 12. С. 1409-1411.
  11. Антонова И.В., Шаймеев С.С., Смагулова С.А. Трансформация при отжиге электрически активных дефектов в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 5. С. 557-562.
  12. Пагава Т.А. Зависимость кинетики отжига А-центров и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в кристаллах n-кремния // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 10. С. 1159-1162.
  13. Пагава Т.А. Энергия миграции вакансий в кристаллах р-кремния // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1058-1061.
  14. Захаров М.В., Кагадей В.А., Львова Т.Н., Нефедцев Е.В., Оскомов К.В., Проскуровский Д.И. Влияние обработки кремния в атомарном водороде на образование локальных областей плавления при импульсном световом облучении // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 1. С. 61-66.
Онищук С.А. Дефектообразование в монокристаллическом кремнии при нейтронном и протонном облучении
Выпуск
Страницы
69-75
Раздел
Физика
Прислано
2008-03-18
Опубликовано
2008-06-30