Теплофизические особенности роста крупных монокристаллов вольфрамата бария для ВКР-преобразования лазерного излучения

  • Исаев В.А. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Игнатьев Б.В. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Лебедев А.В. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Плаутский П.Г. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Аванесов С.А. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
УДК: 538.911

Аннотация

В работе представлен модифицированный метод Чохральского выращивания монокристаллов вольфрамата бария и проанализированы условия роста. Показана возможность и предложен способ подбора оптимальных параметров ростовой системы, обеспечивающих стабильный рост кристаллов высокого оптического качества и позволяющих производить ускоренное (до 150 °С/час) охлаждение выращенного монокристалла до комнатной температуры, сокращая временные затраты на отдельный ростовой процесс.

Ключевые слова: монокристалл, ВКР, метод выращивания, вольфрамат бария, метод Чохральского

Информация об авторах

Владислав Андреевич Исаев
д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: vlisaev@rambler.ru
Борис Владимирович Игнатьев
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: ignatbv@mail.ru
Андрей Валерьевич Лебедев
инженер кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: avlbdv@gmail.com
Павел Геннадьевич Плаутский
инженер кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: plautskiy@gmail.com
Самвел Андраникович Аванесов
инженер кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: samuil@rambler.ru

Литература

  1. Basiev T.T., Sobol A.A., Zverev P.G., Osiko V.V., Powell R.C. Comparative Spontaneous Raman Spectroscopy of Crystals for Raman Lasers // Appl. Opt. 1999. Vol. 38. P. 594-598.
  2. Ge W., Jhang H., Wang J., Liu J., Xu X., Hu X., Li J., Jiang M. Growth of large dimension BaWO4 crystal by the Czochralski method // J. Crystal Growth. 2004. Vol. 270. P. 582-588.
  3. Ivleva L.I., Voronina I.S., Lykov P.A., Berezovskaya L.Yu., Osiko V.V. Growth of optically homogeneous BaWO4 single crystals for Raman lasers // J. Crystal Growth. 2007. Vol. 304. P. 108-113.
  4. Cockayne B., Chesswas M., Gasson D.B. Facetting and Optical Perfection in Czochralski Grown Garnets and Ruby// J.Mat. Sc. 1969. Vol. 4. P. 450-456.
  5. Денисов А.В. Исследование условий получения и реальной структуры кристаллов группы шеелита, выращенных методом Чохральского: Дисс. … канд. геол.-минерал. наук. СПб. 2005. 166 с.
  6. Parant J.P., Villela G., Gourier D., Sergent C. Le, Dumas J.P. Influence of chromium content on the coloration of PbMoO4 crystals // J. Crystal Growth. 1981. Vol. 52. P. 576-579.
  7. Багдасаров Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. 160 с.
  8. Xiao Qiang, Derby Jeffrey J. Heat transfer and interface inversion during the Czochralski growth of yttrium aluminum garnet and gadolinium gallium garnet// J. Crystal Growth. 1994. Vol. 139. P. 147-157.
  9. Hayashi A., Kobayashi M., Jing C.,Tsukada T., Hozawa M. Numerical simulation of the Czochralski growth process of oxide crystals with a relatively thin optical thickness // Int. J. Heat Mass Transfer. 2004. Vol. 47. P. 5501-5509.
  10. Banerjee J., Muralidhar K. Role of internal radiation during Czochralski growth of YAG and Nd:YAG crystals // Int. J. Thermal Sciences. 2006. Vol. 45. P. 151-167.

Финансирование

Работа выполнена при финансовой поддержке ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы" Министерства образования и науки РФ (16.513.11.3080).

Выпуск
Страницы
27-33
Прислано
2011-02-28
Опубликовано
2012-06-29

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)