Распределение заряда в резком несимметричном равновесном n-p-переходе
УДК
537.222.22Аннотация
Уравнение Пуассона для полупроводника в равновесном состоянии решено численно. Рассчитаны электрический потенциал и плотность заряда в области пространственного заряда (ОПЗ) резкого несимметричного n-p-перехода. Показано, что структура ОПЗ резкого сильно несимметричного n-p-перехода существенно отличается от модели области, обеднённой носителями заряда, так как содержит слой, обогащенный носителями заряда.
Ключевые слова:
полупроводник, n-p-переход, электрический потенциал, носители зарядаБиблиографические ссылки
- Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors // Bell Syst. Tech. J. 1949. Vol. 28. No. 7. P. 435-439.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир. 1984. 456 с.
- Pulfrey D.L. Understanding Modern Transistors and Diodes. Cambridge University Press, 2010. 335 p.
- Redfield D. Revised model of asymmetric p-n junctions // Applied Physics Letters. 1979. Vol. 35, July 15. P. 182-184.
- Pfitzner A. Numerical solution of the one-dimensional phenomenological transport equation set in semiconductors // Electron Technology. 1977. Vol. 10. No. 4. P. 3-21.
- Шевченко А.И., Мазинов А.С., Писаренко Л.Д. Численно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных p-n переходов // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит. Спец. выпуск. 2013. Т. 1, № 8 (114). С. 182-186.
- Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду тока короткого замыкания // Известия высших учебных заведений. Северо-кавказский регион. Естественные науки. 2008. № 6. С. 39-41.
- Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду фотоэдс // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2008. № 2. С. 57-61.
- Богатов Н.М. Анализ влияния легирующих примесей на эффективность солнечных элементов из монокристаллического кремния // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 6 (260). С. 48-53.
- Богатов Н.М. Анализ влияния рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперную характеристику кремниевых солнечных элементов // Гелиотехника. 1990. № 6. С. 49-53.
Загрузки
Выпуск
Страницы
Отправлено
Опубликовано
Как цитировать
Copyright (c) 2016 Богатов Н.М.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.