Распределение заряда в резком несимметричном равновесном n-p-переходе

  • Богатов Н.М. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
УДК: 537.222.22

Аннотация

Уравнение Пуассона для полупроводника в равновесном состоянии решено численно. Рассчитаны электрический потенциал и плотность заряда в области пространственного заряда (ОПЗ) резкого несимметричного n-p-перехода. Показано, что структура ОПЗ резкого сильно несимметричного n-p-перехода существенно отличается от модели области, обеднённой носителями заряда, так как содержит слой, обогащенный носителями заряда.

Ключевые слова: полупроводник, n-p-переход, электрический потенциал, носители заряда

Информация об авторе

Николай Маркович Богатов
д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой физики и информационных систем Кубанского государственного университета, действительный член Академии инженерных наук РФ им. А.М. Прохорова
e-mail: bogatov@phys.kubsu.ru

Литература

  1. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors // Bell Syst. Tech. J. 1949. Vol. 28. No. 7. P. 435-439.
  2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир. 1984. 456 с.
  3. Pulfrey D.L. Understanding Modern Transistors and Diodes. Cambridge University Press, 2010. 335 p.
  4. Redfield D. Revised model of asymmetric p-n junctions // Applied Physics Letters. 1979. Vol. 35, July 15. P. 182-184.
  5. Pfitzner A. Numerical solution of the one-dimensional phenomenological transport equation set in semiconductors // Electron Technology. 1977. Vol. 10. No. 4. P. 3-21.
  6. Шевченко А.И., Мазинов А.С., Писаренко Л.Д. Численно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных p-n переходов // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит. Спец. выпуск. 2013. Т. 1, № 8 (114). С. 182-186.
  7. Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду тока короткого замыкания // Известия высших учебных заведений. Северо-кавказский регион. Естественные науки. 2008. № 6. С. 39-41.
  8. Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду фотоэдс // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2008. № 2. С. 57-61.
  9. Богатов Н.М. Анализ влияния легирующих примесей на эффективность солнечных элементов из монокристаллического кремния // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 6 (260). С. 48-53.
  10. Богатов Н.М. Анализ влияния рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперную характеристику кремниевых солнечных элементов // Гелиотехника. 1990. № 6. С. 49-53.
Выпуск
Страницы
12-17
Прислано
2016-08-02
Опубликовано
2016-09-30

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

1 2 > >>