Токовые характеристики нанокристаллического порошкового кремния, полученного методом высокотемпературного плазмохимического синтеза

  • Мазинов А.С. Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
  • Шевченко А.И. Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
  • Карпенко Н.И. Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
  • Гурченко В.С. Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
УДК: 53.096, 53.097

Аннотация

Рассмотрены электрические характеристики наноструктурированного порошкового кремния, полученного методом плазмохимического синтеза при температуре 8000°-12000 °C: температурные зависимости проводимости, энергии активации, ВАХ при разном давлении, прикладываемом к порошку.

Ключевые слова: нанокристаллический кремний, плазмохимический синтез, удельная проводимость, энергии активации, вольт-амперные характеристики

Информация об авторах

Алим Сеит-Аметович Мазинов
канд. техн. наук, доцент кафедры радиофизики и электроники Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского
e-mail: mas@crimea.edu
Алексей Иванович Шевченко
ассистент кафедры радиофизики и электроники Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского
e-mail: shevshenkoai@cfuv.ru
Николай Иванович Карпенко
канд. техн. наук, доцент кафедры теоретической физики и физики твёрдого тела Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского
e-mail: weber-123@mail.ru
Владимир Сергеевич Гурченко
студент бакалавриата Физико-технического института Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского
e-mail: gurchenko_v@mail.ru

Литература

  1. Сенников П.Г., Голубев С.В., Шашкин В.И. [и др.]. Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 7. С. 1002-1006.
  2. Певцов А.Б., Феоктистов Н.А. Пленки нанокристаллического кремния, полученные методом микроволнового плазмохимического газофазного осаждения в условиях импульсной модуляции мощности разряда // ПЖТФ. 2002. Т 28. Вып. 7. С. 89-94.
  3. Ефремов М.Д., Аржанникова С.А., Володин В.А. [и др.]. Нанометровые кластеры и нанокристаллы кремния // Вестник НГУ. Серия: Физика. 2007. Т. 2. Вып. 2. С. 51-60.
  4. Карлаш А.Ю., Кузнецов Г.В., Литвиненко С.В. [и др.]. Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 10. С. 1387-1393.
  5. Кононов Н.Н., Кузьмин Г.П., Орлов А.Н. [и др.]. Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 7. С. 868-873.
  6. Грибов Б.Г., Зиновьев К.В., Калашник О.Н. [и др.]. Способ получения кремния высокой чистоты: пат. 2497753 Российская Федерация. 2013.
  7. Wronski C.R., Collins R.W. Phase engineering of a-Si:H solar cells for optimized performance // Solar Energy. 2004. Vol. 77. P. 877-885.
  8. Juneja S., Sudhakar S., Khonina S.N. [et al.]. Nanocrystalline silicon thin films and grating structures for solar cells // Proceedings of SPIE. 2016. Vol. 9807. 98070F.
  9. Lee J.E., Ahn S.K., Park J.H. [et al.]. Boron-doped hydrogenated silicon carbide alloys containing silicon nanocrys-tallites for highly efficient nanocrystalline silicon thin-film solar cells // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 2015. Vol. 23. Iss. 12. Pp. 1715-1723.
  10. Seif J.P., Descoeudres A., Nogay G. [et al.]. Strategies for Doped Nanocrystalline Silicon Integration in Silicon Heterojunction Solar Cells // IEEE Journal of Photovoltaics. 2016. Vol. 6. Iss. 5. Pp. 1132-1140.
  11. Touati H., Amiri B., Sebbak A.C. [et al.]. A numerical simulation of the effect of buffer layer band gap on the performances of nc-Si : H based solar cells // Journal of Nano- and Electronic Physics. 2016. Vol. 8. Iss. 2. 02008.
  12. Мазинов A.С., Шевченко А.И., Воскресенский В.М. [и др.]. Наноструктурированные полупроводники, полученные порошковым методом // Учёные записки Таврического национального университета имени В.И. Вернадского. Серия "Физико-математические науки". 2014. Т. 27 (66). № 2. С. 107-114.
  13. Мазинов А.С., Шевченко А.И., Воскресенский В.М., Куропаткин А.И. Наноструктурные полупроводники на основе порошковой технологии // Материалы 24-й Международной Крымской конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2014)". Севастополь. Изд-во Вебер, 2014. С. 740-741.
  14. Мазинов А.С., Шевченко А.И., Воскресенский В.М. [и др.]. Кремнийуглеродные структуры для современной микро- и наноэлектроники // Материалы 25-й Международной Крымской конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015)". Севастополь. Изд-во Вебер, 2015. С. 689-690.
  15. Бахов В.А., Мазинов А.С., Наздёркин Е.А., Писаренко Л.Д. Влияние структурной неоднородности на проводимость полупроводниковых материалов // Электроника и связь. 2011. Т. 4 (63). C. 11-14.
Выпуск
Страницы
59-64
Прислано
2017-01-30
Опубликовано
2017-03-30