Влияние неидеальности кристаллической структуры и условий диффузии на формирование мелкозалегающего p-n перехода

  • Шевченко А.И. Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
  • Мазинов А.С. Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
  • Арутинов Н.Э. Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
УДК: 53.023, 53.043, 53.096, 537.9

Аннотация

В работе рассмотрено влияние основных диффузионных констант на профиль распределения фосфора при легировании солнечного кремния, допированного бором. Определена девиация этих параметров и её вклад в изменение глубины залегания p-n перехода.

Ключевые слова: диффузия, предел растворимости, энергия активации, коэффициент диффузии, профиль распределения концентрации, глубина залегания p-n перехода

Информация об авторах

Алексей Иванович Шевченко
ассистент кафедры радиофизики и электроники Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского
e-mail: shevshenkoai@cfuv.ru
Алим Сеит-Аметович Мазинов
канд. техн. наук, доцент кафедры радиофизики и электроники Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского
e-mail: mas@crimea.edu
Никита Эдуардович Арутинов
студент бакалавриата Физико-технического института Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского
e-mail: kintiri1997@gmail.com

Литература

  1. VLSI technology / Ed. by S.M. Sze. NY.: McGraw-Hill, 1983. 676 p. (Имеется перевод: Пирс К., Адамс А., Кац Л. [и др.]. Технология СБИС. Кн.1 / Под ред С. Зи. Пер. с англ. В.М. Звероловлева, В.Н. Лейкина, В.Б. Петрова [и др.]. М.: Мир, 1986. 404 с.).
  2. Богатов Н.М. Распределение заряда в резком несимметричном равновесном n-p переходе // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2016. № 3. C. 12-17.
  3. Swanson R.M. A vision for crystalline silicon photovoltaics // Progress in photovoltaics. 2006. Vol. 14. Iss. 5. P. 443-453.
  4. Deambi S. From sunlight to electricity: A practical handbook on solar photovoltaic applications. New Delhi: TERI, 2015. 172 p.
  5. Saga T. Advances in crystalline silicon solar cell technology for industrial mass production // NPG Asia Materials. 2010. Vol. 2. No. 3. P. 96-102. DOI: 10.1038/asiamat.2010.82
  6. Алиев Р., Олимов М., Мухтаров Э., Алиева Ж. Процесс формовки пластин поликристаллического кремния из порошкового сырья и анализ примесного состава их поверхности // ФИП. 2011. Т. 9. № 1. С. 55-59.
  7. Мазинов A.С., Шевченко А.И., Воскресенский В.М. [и др.]. Наноструктурированные полупроводники, полученные порошковым методом // Учёные записки Таврического национального университета имени В.И. Вернадского. Серия "Физико-математические науки". 2014. Т. 27 (66). № 2. С. 107-114.
  8. Fraas L.M. Low-cost solar electric power. Cham: Springer, 2014. 181 p.
  9. Boxwell M. The solar electricity handbook - 2017 edition: A simple, practical guide to solar energy — designing and installing solar photovoltaic systems. Birmingham: Greenstream Publishing, 2017. 178 p.
  10. Jordan P.G. Solar energy markets: An analysis of the global solar industry. Amsterdam: Academic Press, 2013. 158 p.
  11. Мукашев Б.Н., Бетекбаев А.А., Калыгулов Д.А. [и др.]. Исследования процессов получения кремния и разработка технологий изготовления солнечных элементов // ФТП. 2015. Т. 49. Вып. 10. С. 1421-1428.
  12. Мазинов А., Писаренко Л., Шевченко А. Девиация диффузионных констант и её влияние на профиль мелко залегающего p-n перехода // Техническая электродинамика: тем. вып. "Силовая электроника и энергоэффективность". 2012. Ч. 1. С. 204-208.
  13. Mazinov A., Shevchenko A., Bahov V. Quantum interactions of optical radiation with the defect centres in the tails of the forbidden band of amorphous materials // Optica Applicata. 2014. Vol. 44. No. 2. P. 327-335.
  14. Mazinov A.S., Shevchenko A.I., Terukov E.I. The influence of defects on the energetic spectrum of noncrystalline semiconductors // JNO. 2015. Vol. 9. No. 6. P. 778-782.
  15. Швец Е.Я., Головко Ю.В. Зависимость коэффициента распределения примеси при кристаллизации кремния от степени легирования // Электроника и связь. 2008. № 1-2 (42-43). С. 14-16.
  16. Голотюк В.Н., Мариненко А.А., Шмырева А.Н. Мультикристаллический кремний в технологии фотоэлектрических преобразователей // Электроника и связь. 2008. № 6 (47). С. 15-23.
  17. Баранский П.И., Клочев В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов: Справочник. Киев: Наукова думка, 1975. 704 с.
  18. Александров О.В. Модель высоко- и низкотемпературной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1289-1298.
  19. Палатник А.С., Сорокин В.К. Материаловедение в электронике. М.: Энергия, 1978. 280 с.
  20. Случинская И.А. Основы материаловедения и технологий полупроводников. М.: Наука, 2002. 378 с.
  21. Александров О.В., Афонин Н.Н. Особенности сегрегационного перераспределения фосфора при термическом окислении сильно легированных слоев кремния // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 6. С. 647-654.
  22. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. 464 с.
  23. Горнушкина Е.Д., Малкович Р.Ш. Диффузия примеси в полупроводнике в двух состояниях, различающихся коэффициентами диффузии и степенью ионизации примесных атомов // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 5. С. 908-923.
  24. Бабичев А.П., Бабушкина Н.А., Братковский А.М. [и др.]. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  25. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент / Пер. с англ. Под ред. М.М. Колтуна. М.: Энергоатомиздат, 1987. 280 с. [Fahrenbruch A., Bube R.i> Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion. 1st ed. NY: Academic Press, 1983. 580 p.]
  26. Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1992. 320 с.
  27. Мазинов А.С., Шевченко А.И., Быков М.А. Асимметричность плотности распределения объёмного нескомпенсированного заряда на границе металлургического p-n перехода // Журнал нано- и электронной физики. 2012. Т. 4. № 3. С. 03026-1-03026-4.
  28. Sze S.M. Physics of the semiconductor devices. NY.: John Wiley & Sons, 1981. 880 p. (Имеется перевод: Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. / Под ред. Р.А. Суриса. Пер. с английского В.А. Гергеля, В.В. Ракитина. М.: Мир, 1984. 456 с.)
  29. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. 528 с.
Выпуск
Страницы
74-82
Прислано
2017-03-17
Опубликовано
2017-03-30