К вопросу о формообразовании профилированных кристаллов кремния при их выращивании по способу Степанова

  • Онищук С.А. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Тумаев Е.Н. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
УДК: 548.52

Аннотация

Рассмотрены особенности процесса формообразования при выращивании профилированных монокристаллов кремния методом Степанова. Перечислены характерные кристаллические формы, возникающие в процессе роста. Поведено теоретическое исследование особенностей роста монокристалла при различных направлениях роста. Исследованы особенности процесса образования двойников при выращивании профилированных кристаллов. Предложено объяснение спиралевидных структур при выращивании профилированных монокристаллов кремния.

Ключевые слова: солнечные элементы, профилированный кремний, метод Степанова, двойникование, кристаллографические плоскости, индексы Миллера

Информация об авторах

Сергей Алексеевич Онищук
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: onishchuk52@mail.ru
Евгений Николаевич Тумаев
д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры теоретической физики и компьютерных технологий Кубанского государственного университета
e-mail: tumayev@phys.kubsu.ru

Литература

  1. Васильев А.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. М.: Советское радио, 1971. 248 с.
  2. Богатов Н.М., Закс М.Б. Перспективы использования поликристаллического кремния в фотоэнергетике. Тез. докл. Всесоюз. совещ. "Перспективы развития и создания единой научно-технической, производственной и эксплуатационной базы Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии и проблемы их использования в народном хозяйстве страны". Геленджик, 1988. С. 58-59.
  3. Nikanorov S.P., Antonov P.I. Growth and properties of shaped crystals // Journal of Crystal Growth. 1987. Vol. 82. P. 242-249.
  4. Касаткин В.В., Михеева Л.В., Ситников А.М., Паксеев Ю.Е. Фотопреобразователи на основе ленточного поликристаллического кремния // Гелиотехника. 1986. № 5. С. 14-17.
  5. Chalmers B., LaBelle H.E., Mlavsky A.J. Edge-defined, film-fed crystal growth // J. Cryst. Growth 1972. Vol. 13/14. P. 84.
  6. LaBelle H.E. USA Patent N 3915662. 1975.
  7. Schwuttke G.H. Low cost silicon for solar energy application // Phys. Status Solidi (a). 1977. Bd. 43. No. 1. P. 43. DOI: 10.1002/ pssa.2210430103
  8. Татарченко В.А. Влияние капиллярных явлений на устойчивость процесса кристаллизации из расплава // Физика и химия обработки материалов. 1973. № 6. С. 4750.
  9. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука, 1988. 240 с.
  10. Осипьян Ю.А., Татарченко В.А. Получение профилированных кристаллов кремния, исследование их электронных свойств, дефектной структуры, изготовление солнечных элементов и определение их параметров // Известия АН СССР. Сер. физ. 1983. Т. 47. № 2. С. 346-350.
  11. Бузынин Ю.Н., Орлов Ю.Н., Бузынин А.Н., Дементьев Ю.С., Блецкан Н.И., Соколов Е.Б. Выращивание и структурные особенности монокристаллических лент кремния // Известия АН СССР. Сер. физ. 1983. Т. 47. № 2. С. 361-367.
  12. Абросимов Н.В., Брантов С.К., Ерофеева С.А., Зайцева А.К., Копецкий Ч.В., Марасанова Э.А., Полисан А.А., Рябиков С.В., Татарченко В.А. Получение кремниевых лент из расплава способом Степанова, исследование их свойств и изготовление на их основе фотопреобразователей // Известия АН СССР. Сер. физ. 1979. Т. 43. № 9. С. 1989-1991.
  13. Ши Дж., Гейтос Г., Абросимов Н.В., Брантов С.К., Ерофеева С.А., Татарченко В.А. Некоторые структурные и электрофизические особенности кремниевых лент, полученных способом Степанова // Известия АН СССР. Сер. физ. 1979. Т. 43. № 9. С. 1992-1994.
  14. Абросимов Н.В., Баженов А.В., Брантов С.К., Татарченко В.А. Профилирование кремния с использованием капиллярного формообразования. В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1986. Т. XV. С. 187-209.
  15. Крицкий В.Е., Матвеякин М.П., Трофименко А.Н., Хабаров Э.Н. Физические особенности замкнутых кремниевых профилей, снижающие КПД и экономическую эффективность изготовления солнечных элементов. Тез. докл. Всесоюз. совещ. "Перспективы развития и создания единой научно-технической, производственной и эксплуатационной базы Краснодарского края по использованию возобновляемых источников энергии и проблемы их использования в народном хозяйстве страны". Геленджик, 1988. С. 87-88.
  16. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. М.: Энергоиздат, 1987. 280 с.
  17. Богатов Н.М., Масенко Б.П., Онищук С.А. Двойниковые структуры в профилированном кремнии. Материалы Всесоюзного совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. 16-18 марта 1988 г. Ленинград, 1989. С. 199-201.
  18. Богатов Н.М., Масенко Б.П., Онищук С.А. Образование двойниковой структуры в профилированном кремнии, выращенном по способу Степанова. В межвуз. сб.: Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск: изд. НПИ, 1989. С. 42-45.
  19. Green M.A., Emery K., King D.L. et al. Progress in Photovoltaics // Research and Applications. 2006. No. 14. P. 45-51.
  20. Green M.A., Jianhua Zhao, Wang A., Wenham S.R. Very high efficiency silicon solar cells-science and technology // IEEE transactions on electron devices. 1999. No. 46. P. 1940-1947.
  21. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 8. С. 937-948.
Выпуск
Страницы
84-94
Раздел
Физика
Прислано
2017-06-24
Опубликовано
2017-09-30

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

1 2 > >>