(1)
Богатов, Н. М.; Корнеев, А. И.; Матвеякин, М. П.; Родоманов, Р. Р. Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным P-N-переходом. Экологический вестник научных центров ЧЭС 2006, No. 4, 63-67.