Богатов НМ, Корнеев АИ, Матвеякин МП, Родоманов РР. Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом. Экологический вестник научных центров ЧЭС. 2006;(4):63-67. Accessed April 7, 2025. https://vestnik.kubsu.ru/article/view/186