Н. М. Богатов, А. И. Корнеев, М. П. Матвеякин, and Р. Р. Родоманов, “Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом”, Экологический вестник научных центров ЧЭС, no. 4, pp. 63–67, Dec. 2006, Accessed: Apr. 07, 2025. [Online]. Available: https://vestnik.kubsu.ru/article/view/186