Богатов, Николай Маркович, et al. “Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным P-N-переходом”. Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества, no. 4, Dec. 2006, pp. 63-67, https://vestnik.kubsu.ru/article/view/186.