Богатов НМ, Корнеев АИ, Матвеякин МП, Родоманов РР. Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом. Экологический вестник научных центров ЧЭС [Internet]. 2006 Dec. 25 [cited 2025 Apr. 8];(4):63-7. Available from: https://vestnik.kubsu.ru/article/view/186