vestnik Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation 1729-5459 Кубанский государственный университет RU 173 Научная статья Original article Химия Chemistry Моделирование отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном литием Modeling of radiation defects annealing in lithium-doped silicon Богатов Н.М. Богатов Николай Маркович Bogatov Nikolay M.

д-р физ.-мат. наук, профессор, академик АИН РФ, зав. кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Коваленко М.С. Коваленко Михаил Сергеевич Kovalenko Mikhail S.

инженер кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Кубанский государственный университет, КраснодарKuban State University, Krasnodar 25 09 2006 3 77 83 10 07 2006 29 07 2006 25 09 2006 Copyright (c) 2006 Богатов Н.М., Коваленко М.С. 2006 Богатов Н.М., Коваленко М.С. Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Based on the solution of equations of semi-chemical reactions, the calculation of radiation defects kinetics in silicon with the dopants P, B, Li, O, C has been carried out. Basic regularities of the change of secondary radiation defects concentration at a stage of isothermal annealing have been determined.

На основе решения системы уравнений квазихимических реакций рассчитана кинетика процесса образования вторичных радиационных дефектов в кремнии, содержащем примеси фосфора, бора, лития, кислорода и углерода. Определены основные закономерности изменения концентраций вторичных радиационных дефектов на этапе изотемпературного отжига, следующего за облучением потоком электронов либо протонов.

 Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат, 1989. 96 с. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с. Холодарь Г.А., Данковский Ю.И., Конопляный В.В., Винецкий В.Л. Непрямая рекомбинация вакансий и межузельных атомов в облучаемом кремнии // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 9. С. 1712-1718. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с. Gilmer T.E., Franks R.K., Bell R.I. An optimal study of lithium and lithium-oxygen complexes as donor impurities in silicon // Phys. Chem. Solids. 1965. Vol. 26. No 8. P. 1195-1204. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 205 с. Weinberg I., Irving, Swarts C. K., Mehta S. Increased radiation resistance in lithium - counterdoped silicon solar cells // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44. No 11. P. 1071-1073. Асеев А.Л., Федина Л.И., Хель Д., Барч Х. Скопление междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск.: Наука. Сиб. Отделение, 1991. 149 с. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского // Поверхность. 1999. №3. С. 72-78. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского, легированном литием // Поверхность. 1999. №8. С. 66-69.