vestnik Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation 1729-5459 Кубанский государственный университет RU 186 Научная статья Original article Физика Physics Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом Effect of nonequilibrium charge in the SiO2-Si layer on nonstationarity of the spectral characteristic of solar cells with submicron p-n-junction Богатов Н.М. Богатов Николай Маркович Bogatov Nikolay M.

д-р. физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Корнеев А.И. Корнеев Антон Игоревич Korneev Anton I.

аспирант кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Матвеякин М.П. Матвеякин Михаил Петрович Matveyakin Mikhail P.

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Родоманов Р.Р. Родоманов Роман Робертович Rodomanov Roman R.

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Кубанский государственный университет, КраснодарKuban State University, Krasnodar 25 12 2006 4 63 67 26 09 2006 26 10 2006 25 12 2006 Copyright (c) 2006 Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. 2006 Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Spectral characteristics of silicon solar cells with submicron high-low p-n-junction are investigated in a non-stationary mode. The characteristic time of the nonequilibrium charge accumulation in the SiO2-Si layer is determined. The method makes it possible to control uniformity of electronic properties of the dielectric-semiconductor interface.

Спектральные характеристики кремниевых солнечных элементов с субмикронным несимметричным p-n-переходом исследованы в нестационарном режиме. Определено характерное время накопления неравновесного заряда на границе SiO2-Si. Метод позволяет контролировать однородность электронных свойств границы раздела диэлектрик-полупроводник.

 Willeke G.P. Thin crystalline silicon solar cells // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2002. Vol. 72. Iss. 1-4. P. 191-200. Zhao J. Recent advances of high-efficiency single crystalline silicon solar cells in processing technologies and substrate materials // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2004. Vol. 82. Iss. 1-2. P. 53-64. Agostinelli G., Delabie A., Vitanov P., Alexieva Z., Dekkers H.F.W., De Wolf S., Beaucarne G. Very low surface recombination velocities on p-type silicon wafers passivated with a dielectric with fixed negative charge // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2006. Vol. 90. Iss. 18-19. P. 3438-3443. Majumdar D., Dutta S.K., Chatterjee S., Saha H. Effect of controlled dopant distribution in thin silicon solar cell // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2004. Vol. 81. Iss. 4. P. 459-468. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: НТЛ, 2000. 426 с. Jain S.C., Heasell E.L., Roulston D.J. Recent advances in the physics of silicon PN junction solar cells including theire transient response // Progr. Quant. Electron. 1987. Vol. 11. Iss. 2. P. 105-204. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. М.: Энергоатомиздат, 1987. 280 с. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. 280 с. Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р., Яковенко Н.А. Автоматизация измерений спектральных характеристик двусторонних солнечных элементов // Автометрия. 2003. Т. 39. №6. С. 68-77. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Исследование влияния неравновесного заряда границы SiO2-Si на динамику спектральной чувствиительности солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Известия вузов. Сев.-Кавказ. регион. Технические науки. 2006. №2. С. 52-54. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: МГУ, 1999. 284 с. Cousins P.J., Cotter J.E. Minimizing lifetime degradation associated with thermal oxidation of upright randomly textured silicon surfaces // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2005. Vol. 90. Iss. 2. P. 228-240.