vestnik Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation 1729-5459 Кубанский государственный университет RU 253 Научная статья Original article Физика Physics Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду фотоэдс Determining of capture time of nonequilibrium surface charge by open circuit voltage fall down in semi-conductor structures Богатов Н.М. Богатов Николай Маркович Bogatov Nikolay M. bogatov@phys.kubsu.ru

д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Матвеякин М.П. Матвеякин Михаил Петрович Matveyakin Mikhail P.

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Першин Н.В. Першин Николай Владимирович Pershin Nikolay V.

аспирант кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Родоманов Р.Р. Родоманов Роман Робертович Rodomanov Roman R.

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Кубанский государственный университет, КраснодарKuban State University, Krasnodar 30 06 2008 2 56 60 18 03 2008 21 03 2008 30 06 2008 Copyright (c) 2008 Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. 2008 Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

The open circuit voltage $U_{oc}$ of silicon solar cells with the submicronic asymmetrical p-n-junction is investigated in the non-stationary mode. Dependence $U_{oc}(t)$ is explained by relaxation of the nonequilibrium surface charge on the boundary Si-SiO2 with the characteristic value of time $\tau\sim 1$ s.

Фотоэдс $U_{oc}$ кремниевых фотоэлектрических преобразователей с субмикронным несимметричным p-n-переходом исследована в нестационарном режиме. Зависимость $U_{oc}(t)$ объясняется релаксацией неравновесного поверхностного заряда на границе Si-SiO2 с характерным значением времени $\tau\sim 1$ с.

 полупроводниковые структуры фотоэлектрические преобразователи поверхностные состояния неравновесный заряд semiconductor structures photoelectric converters surface states nonequilibrium charge Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р., Яковенко Н.А. Автоматизация измерений спектральных характеристик двусторонних солнечных элементов // Автометрия. 2003. Т. 39. №6. С. 68-77. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Исследование влияния неравновесного заряда границы SiO2-Si на динамику спектральной чувствительности солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Известия вузов. Сев.-Кавказ. регион. Технические науки. 2006. №2. С. 52-54. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2006. №4. С. 63-67. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: НТЛ, 2000. 426 с. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. Школа, 1987. 239 с. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: МГУ, 1999. 284 с. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. 280 с.