vestnik Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation 1729-5459 Кубанский государственный университет RU 366 Научная статья Original article Статьи Article Изменение плотности электронных состояний наноразмерных областей разупорядочения, созданных электронами в кремнии The density changing of electronic states of nanoscale disordered areas created by electrons in silicon Богатов Н.М. Богатов Николай Маркович Bogatov Nikolay M. bogatov@phys.kubsu.ru

д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Коваленко М.С. Коваленко Максим Сергеевич Kovalenko Maksim S. makc69@rambler.ru

аспирант кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Кубанский государственный университет, КраснодарKuban State University, Krasnodar 25 03 2011 1 19 24 24 02 2011 09 03 2011 25 03 2011 Copyright (c) 2011 Богатов Н.М., Коваленко М.С. 2011 Богатов Н.М., Коваленко М.С. Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

The dependences on the energy of density distribution of the electronic states in the forbidden zone of silicon are calculated numerically for the various parameters values of the nanoscail disordered areas. It is shown, that in the forbidden zone the power levels created by chaotically distributed vacancies within nanoscail disordered area are prevailed.

Рассчитаны зависимости распределения плотности электронных состояний в запрещенной зоне кремния от энергии для различных значений параметров областей разупорядочения. Показано, что основной вклад дают энергетические уровни вакансионного происхождения, хаотически распределенные в пределах области разупорядочения.

 кремний область разупорядочения электронные состояния silicon disordered area electronic states Наноэлектроника. Часть 1. Введение в наноэлектронику / Под. ред. Орликовского А.А. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009. 720 с. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. 592 с. Богатов Н.М., Коваленко М.С. Кремний с наноразмерными областями разупорядочения // Современные наукоёмкие технологии. 2008. №2. С. 109-110. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат. 1989. 96 с. Кинчин Г.Х., Пиз Р.С. Смещение атомов твердых тел под действием излучения // Успехи физ. наук. 1956. Т. 60. №4. С. 590-615. Lindhard J., Nielson V., Scharff M., Thomson P.V. Integral equations covering radiation effects notes an atomic collision II // Kgl. Danske Vid. Selsk. Mat. Fys. Medd. 1963. Vol. 33. No 10. P. 14-42. Van Lint V.A., Leadon R.E., Colwell J.F. Energy dependence of displacement effects in semiconductors // IEEE Trans. of Nucl. Sci. 1972. Vol. NS-19. No 6. P. 181-185. Van Lint V.A., Leadon R.E. Implications of cluster model of neutron effects in silicon // Lattice Defects in Semiconductors. Conf. 1974. London-Bristol. Institute of Physics. 1975. P. 227-232. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (теория, метод расчета, таблицы). Минск. БГУ. 1980. 352 с. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь. 1981. 248 с. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Т. 2. Экспериментальные аспекты. М.: Мир. 1985. 304 с. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977. 672 c. Andersen H.H., Csete A., Ichioka T., Knudsen H., Moller S.P., Uggerhoj U.I. An apparatus to measure stopping powers for low-energy antiprotons and protons // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В. 2002. Vol. 194. P. 217-225. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с. Nieminen R.M., Puska M.J. Vacancy defects in c-Si: electronic and ionic structures // Properties of Crystalline Silicon, London: INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, 1999. P. 309-318.