vestnik Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation 1729-5459 Кубанский государственный университет RU 451 Научная статья Original article Статьи Article Колебательная система релаксационного типа на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом Oscillatory system of relaxation type on the base semiconductor structures with surface-barrier junction Богатов Н.М. Богатов Николай Маркович Bogatov Nikolay M. bogatov@phys.kubsu.ru

д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Григорьян Л.Р. Григорьян Леонтий Рустемович Grigoryan Leontiy R. leonmezon@mail.ru

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Куликов О.Н. Куликов Олег Николаевич Kulikov Oleg N. oleg_kulik@mail.ru

соискатель кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета

 Кубанский государственный университет, КраснодарKuban State University, Krasnodar 25 12 2012 4 17 22 17 02 2012 05 04 2012 25 12 2012 Copyright (c) 2012 Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. 2012 Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

In this paper we suggest the equivalent circuit of semiconductor structure, with help of which the analytical expression for the period of current and voltage oscillations has been obtained. We investigated the influence of surface-barrier junction contact capacity type on duration of separate phases of a current passing through the semiconductor structure. We obtained correlation between chemical composition of the semiconductor used for manufacturing semiconductor structure samples and frequency of current and voltage oscillations

Предложена эквивалентная схема полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, с помощью которой получено аналитическое выражение для периода колебаний тока и напряжения. Изучено влияние типа емкости контакта с поверхностно-барьерным переходом на длительность отдельных фаз протекания тока через полупроводниковую структуру. Выявлена взаимосвязь между химическим составом полупроводника, используемого для изготовления образцов полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом и частотой колебаний тока и напряжения.

 полупроводниковая структура поверхностно-барьерный переход semiconductor structure surface-barrier junction Косман М.С., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях // ФТТ. 1961. Т. 3. №11. С. 2504-2506. Муравский Б.С. Исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния // ФТТ. 1962. Т. 9. №4. С. 2485-2489. Муравский Б.С. Кузнецов В.И., Фризен Г.И., Черный В.Н. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока // ФТП. 1972. Т. 6. С. 2114-2122. Муравский Б.С., Куликов О.Н. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе // ФТП. 2003. Т. 37. В. 4. С. 393-397. Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Электрофизические и фотоэлектрические своцства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе // Журнал радиоэлектроники 2000 №10. http://jre.cplire.ru/win/oct00/2/text.html. Муравский Б.С. Неравновесные процессы и токовая неустойчивость в контактах металл-полупроводник: Дисс. … д-ра физ.-мат. наук, 1983. Л. 413 с. Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М. Наука. 1981. 915 с. Мигулин В.В., Медведев В.И., Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Основы теории колебаний. М.: Наука. 1978. 392 с. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М.: Высшая школа. 1984. 528 с. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 2 т. М.: Мир. 1984. 912 с. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. 1980. 296 с.