<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article
			xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"
			xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"
			xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"
			
			xml:lang="ru">
			<front>
			<journal-meta>
				<journal-id journal-id-type="ojs">vestnik</journal-id>
				<journal-title-group>
					<journal-title xml:lang="ru">Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества</journal-title>
					<trans-title-group xml:lang="en">
						<trans-title>Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation</trans-title>
					</trans-title-group>
				</journal-title-group>
			<issn pub-type="ppub">1729-5459</issn>
			<publisher>
				<publisher-name>Кубанский государственный университет</publisher-name>
				<publisher-loc>RU</publisher-loc>
			</publisher>
			<self-uri xlink:href="https://vestnik.kubsu.ru/" />
		</journal-meta>
		<article-meta>
			<article-id pub-id-type="publisher-id">868</article-id>
			<article-id pub-id-type="doi">10.31429/vestnik-16-2-48-58</article-id>
			<article-categories>
				<subj-group xml:lang="ru" subj-group-type="heading"><subject>Научная статья</subject></subj-group>
				<subj-group xml:lang="en" subj-group-type="heading"><subject>Original article</subject></subj-group>
				<subj-group xml:lang="ru"><subject>Физика</subject></subj-group>
				<subj-group xml:lang="en"><subject>Physics</subject></subj-group>
			</article-categories>
			<title-group>
				<article-title xml:lang="ru">Спектральные и проводящие характеристики тонкопленочных структур на основе фуллерена</article-title>
				<trans-title-group xml:lang="en">
					<trans-title>Spectral and conductive characteristics of fullerene-based thin-film structures</trans-title>
					</trans-title-group>
			</title-group>
			<contrib-group content-type="author">
				<contrib >
					<name-alternatives>
						<string-name specific-use="display">Мазинов А.С.</string-name>
						<name name-style="western" specific-use="primary" xml:lang="ru">
							<surname>Мазинов</surname>
							<given-names>Алим Сеит-Аметович</given-names>
						</name>
						<name name-style="western" xml:lang="en">
							<surname>Mazinov</surname>
							<given-names>Alim A.</given-names>
						</name>
					</name-alternatives>
					<xref ref-type="aff" rid="aff-1" />
					<email>mazinovas@cfuv.ru</email>
					<bio xml:lang="ru"><p>канд. техн. наук, доцент кафедры радиофизики и электроники Физико-технического института Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского</p></bio>
				</contrib>
				<contrib >
					<name-alternatives>
						<string-name specific-use="display">Гурченко В.С.</string-name>
						<name name-style="western" specific-use="primary" xml:lang="ru">
							<surname>Гурченко</surname>
							<given-names>Владимир Сергеевич</given-names>
						</name>
						<name name-style="western" xml:lang="en">
							<surname>Gurchenko</surname>
							<given-names>Vladimir S.</given-names>
						</name>
					</name-alternatives>
					<xref ref-type="aff" rid="aff-1" />
					<email>gurchenko_v@mail.ru</email>
					<bio xml:lang="ru"><p>студент магистратуры Физико-технического института Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского</p></bio>
				</contrib>
				<contrib >
					<name-alternatives>
						<string-name specific-use="display">Шевченко А.И.</string-name>
						<name name-style="western" specific-use="primary" xml:lang="ru">
							<surname>Шевченко</surname>
							<given-names>Алексей Иванович</given-names>
						</name>
						<name name-style="western" xml:lang="en">
							<surname>Shevchenko</surname>
							<given-names>Alexey I.</given-names>
						</name>
					</name-alternatives>
					<xref ref-type="aff" rid="aff-1" />
					<email>shevshenkoai@cfuv.ru</email>
					<bio xml:lang="ru"><p>канд. физ.-мат. наук, ассистент кафедры радиофизики и электроники Физико-технического института Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского</p></bio>
				</contrib>
				<contrib >
					<name-alternatives>
						<string-name specific-use="display">Арутинов Н.Э.</string-name>
						<name name-style="western" specific-use="primary" xml:lang="ru">
							<surname>Арутинов</surname>
							<given-names>Никита Эдуардович</given-names>
						</name>
						<name name-style="western" xml:lang="en">
							<surname>Arutinov</surname>
							<given-names>Nikita E.</given-names>
						</name>
					</name-alternatives>
					<xref ref-type="aff" rid="aff-1" />
					<email>kintiri1997@gmail.com</email>
					<bio xml:lang="ru"><p>студент бакалавриата Физико-технического института Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского</p></bio>
				</contrib>
				<contrib >
					<name-alternatives>
						<string-name specific-use="display">Тютюник А.С.</string-name>
						<name name-style="western" specific-use="primary" xml:lang="ru">
							<surname>Тютюник</surname>
							<given-names>Андрей Сергеевич</given-names>
						</name>
						<name name-style="western" xml:lang="en">
							<surname>Tutunik</surname>
							<given-names>Andrey S.</given-names>
						</name>
					</name-alternatives>
					<xref ref-type="aff" rid="aff-1" />
					<email>real-warez@mail.ru</email>
					<bio xml:lang="ru"><p>аспирант кафедры радиофизики и электроники Физико-технического института Крымского федерального университета им. В.И. Вернадского</p></bio>
				</contrib>
			</contrib-group>
			<aff id="aff-1"><institution content-type="orgname" xml:lang="ru">Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь</institution><institution content-type="orgname" xml:lang="en">Vernadsky Crimean Federal University, Simferopol</institution></aff>
			<pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2019-06-28" publication-format="ppub">
				<day>28</day>
				<month>06</month>
				<year>2019</year>
			</pub-date>
			<volume>16</volume>
			<issue>2</issue>
				<fpage>48</fpage>
				<lpage>58</lpage>
			<history>
				<date date-type="received" iso-8601-date="2019-03-23">
					<day>23</day>
					<month>03</month>
					<year>2019</year>
				</date>
				<date date-type="accepted" iso-8601-date="2019-04-19">
					<day>19</day>
					<month>04</month>
					<year>2019</year>
				</date>
				<date date-type="pub" iso-8601-date="2019-06-28">
					<day>28</day>
					<month>06</month>
					<year>2019</year>
				</date>
			</history>
			<permissions>
				<copyright-statement>Copyright (c) 2019 Мазинов А.С., Гурченко В.С., Шевченко А.И., Арутинов Н.Э., Тютюник А.С.</copyright-statement>
				<copyright-year>2019</copyright-year>
				<copyright-holder>Мазинов А.С., Гурченко В.С., Шевченко А.И., Арутинов Н.Э., Тютюник А.С.</copyright-holder>
				<license xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0">
					<license-p>Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.</license-p>
				</license>
			</permissions>
			<self-uri xlink:href="https://vestnik.kubsu.ru/article/view/868" />
			<abstract xml:lang="en">
				<p>In the present paper we consider carbon films obtained by the method of sequential deposition from fullerene solutions in various types of solvents. Micrographs are presented to estimate the surface geometry of thin-film structures. So, using various solvents, it is possible to form various geometrical objects depending on the functional purpose of the films. At the same time, nanostructured objects can have the form of both bulk polygons (in our case, hexagons) and star-shaped branching structures. The IR spectra of the obtained samples were analyzed and their comparative characteristics were given for a volume of a precipitated solution of 0.15 ml and 1 ml. Depending on the type of initial solvent, both solvent peaks, fullerene, and complex organic impurities can be present in the fabricated samples. From the presence of solvent peaks, it is possible to make an assumption about the crystallization of solvates and their preservation in the film after drying. The conductive properties of thin-film structures are investigated. The use of five types of solvents made it possible to change linear resistances from hundreds to thousands of GOhms with a volume of 0.15 ml applied. An increase in the volume of the nanocrystalline fraction (1 ml of solution) made it possible to reduce the resistance to tens of GOhms</p>
<p>It is worth noting that the mechanisms of the action of the active solvent environment on the morphology of the synthesized objects are not entirely clear, however, studies conducted to obtain nanostructures from fullerene solutions will be effective and, in our opinion, for controlled self-assembly of other functional organic systems.</p>
			</abstract>
			<abstract xml:lang="ru">
				<p>С перспективой возможности управления процессами самоорганизации наноразмерных структур в представленной работе рассматриваются углеродные пленки, полученные методом последовательного осаждения из растворов фуллеренов в различных видах растворителей. Предоставлена оценка микрофотографии поверхности тонкопленочных структур. Проанализированы ИК-спектры полученных образцов и дана сравнительная характеристика для объёма осаждённого раствора 0,15 мл и 1 мл. Исследованы проводящие свойства тонкопленочных структур.</p>
			</abstract>
			<kwd-group xml:lang="ru">
				<kwd>фуллерен</kwd>
				<kwd>C60</kwd>
				<kwd>растворитель</kwd>
				<kwd>вольт-амперная характеристика</kwd>
				<kwd>тонкопленочные структуры</kwd>
				<kwd>топология</kwd>
			</kwd-group>
			<kwd-group xml:lang="en">
				<kwd>fullerene</kwd>
				<kwd>C60</kwd>
				<kwd>solvent</kwd>
				<kwd>current-voltage characteristic</kwd>
				<kwd>thin-film structures</kwd>
				<kwd>topology</kwd>
			</kwd-group>
			<counts><page-count count="11" /></counts>
		</article-meta>
	</front>
	<body></body>
	<back>
		<ref-list>
			<ref id="R1"><mixed-citation><italic>Сидоров Л.Н., Юровская М.А., Борщевский А.Я., Трушков И.В., Иоффе И.Н.</italic> Фуллерены // М.: Экзамен. 2005. 688 с.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R2"><mixed-citation><italic>Zhang Y., Murtaza I., Meng H.</italic> Development of fullerenes and their derivatives as semiconductors in field-effect transistors: exploring the molecular design // J. Mater. Chem. C. 2018. Vol. 6. Iss. 14. P. 3514–3537.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R3"><mixed-citation><italic>Агапьев К.Б., Врубель И.И., Полозков Р.Г., Иванов В.К.</italic> Вычисления потенциала и распределения электронной плотности фуллеренов C60+, C60 и C60- // Неделя науки СПбПУ. 2016. С. 314–316. <italic>Nedelya nauki SPbPU</italic> , 2016, pp. 314–316. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R4"><mixed-citation><italic>Moet D.J.D., de Bruyn P., Kotlarski J.D., Blom P.W.M.</italic> Enhanced efficiency in double junction polymer:fullerene solar cells // Organic Electronics. 2010. Vol. 11. P. 1821–1827.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R5"><mixed-citation><italic>Gattia T., Menna E., Meneghetti M., Maggini M., Petrozza A., Lamberti F.</italic> The Renaissance of fullerenes with perovskite solar cells // Nano Energy. 2017. Vol. 41. P. 84–100.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R6"><mixed-citation><italic>Белоусова И.М., Данилов О.Б., Сидоров А.И.</italic> Нелинейно-оптические ограничители лазерного излучения // Оптический журнал. 2009. T. 76. № 4. C. 71–85. . <italic>Opticheskiy zhurnal</italic> , 2009, vol. 76, no. 4, pp. 71–85.]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R7"><mixed-citation><italic>Park S., Srivastava D., Cho K.</italic> Generalized chemical reactivity of curved surfaces: carbon nanotubes // Nanotechnology. 2001. Vol. 12. Iss. 3. P. 245–249.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R8"><mixed-citation><italic>Vasconcelos R.C., Aleixo V.F.P., Del Nero J.</italic> Organic field effect transistor composed by fullerene C60 and heterojunctions // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2017. Vol. 86. P. 142–145.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R9"><mixed-citation><italic>Li Z., Zhang Q., Zhang C., Li H., Lu J.</italic> High quality fullerene film based on electrophoresis deposition for RRAM device application // Organic Electronics. 2019. Vol. 66. P. 70–75.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R10"><mixed-citation><italic>Dao T.T., Matsushima T., Murata H.</italic> Organic nonvolatile memory transistors based on fullerene and an electron-trapping polymer // Organic Electronics. 2012. Vol. 13. P. 2709–2715.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R11"><mixed-citation><italic>Мазинов А.С., Работягов К.В., Гурченко В.С., Тютюник А.С.</italic> Влияние структурных особенностей фуллеренсодержащего материала на его резистивные свойства // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2018. Т. 15. Вып. 2. С. 86–93. . <italic>Ekologicheskiy vestnik nauchnykh tsentrov Chernomorskogo ekonomicheskogo sotrudnichestva</italic> , 2018, vol. 15, no. 2, pp. 86–93. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R12"><mixed-citation><italic>Шевченко А.И., Работягов К.В., Максимова Е.М., Наухацкий И.А., Батиашвили Л.А.</italic>Фуллеренсодержащий материал, полученный низкотемпературным крекингом из резиносодержащих отходов // Вестник ТГУ. 2017. Т. 22. Вып. 2. С. 459–463. . <italic>Vestnik Tambovskogo universiteta. Seriya Estestvennye i tekhnicheskie nauki</italic> , 2017, vol. 22, iss. 2, pp. 459–463. DOI: 10.20310/1810-0198-2017-22-2-459-463 (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R13"><mixed-citation><italic>Работягов К.В., Сай Е.В., Максимова Е.М., Наухацкий И.А., Карпенко Н.И., Шевченко А.И., Мазинов А.С.</italic> Исследование структуры и физико-химических свойств пористых углеродных материалов, полученных низкотемпературным крекингом // Учёные записки Крымского федерального университета имени В.И. Вернадского. Серия &quot;Биология, химия&quot;. 2015. Т. 1 (67). № 3. С. 125–131. . <italic>Uchyonye zapiski Krymskogo federal&#039;nogo universiteta imeni V.I. Vernadskogo. Biologiya. Himiya</italic> , 2015, vol. 1 (67), iss. 3, pp. 125–131. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R14"><mixed-citation><italic>Безмельницын В.Н., Елецкий А.В., Окунь М.В.</italic> Фуллерены в растворах // Успехи физических наук. 1998. Т. 168. Вып. 11. С. 1196–1219. . <italic>Uspekhi fizicheskikh nauk</italic> , 1998, vol. 168, iss. 11, pp. 1196–1219. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R15"><mixed-citation><italic>Мазинов А.С., Гурченко В.С., Тютюник А.С., Шевченко А.И.</italic> Влияние структурных особенностей фуллеренсодержащего материала на его резистивные свойства при осаждении из раствора // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2018. Т. 15. № 4. С. 85–92. . <italic>Ekologicheskiy vestnik nauchnykh tsentrov Chernomorskogo ekonomicheskogo sotrudnichestva</italic> , 2018, vol. 15, no. 4, pp. 85–92. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
		</ref-list>
	</back>
</article>