<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article
			xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"
			xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML"
			xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance"
			
			xml:lang="ru">
			<front>
			<journal-meta>
				<journal-id journal-id-type="ojs">vestnik</journal-id>
				<journal-title-group>
					<journal-title xml:lang="ru">Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества</journal-title>
					<trans-title-group xml:lang="en">
						<trans-title>Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation</trans-title>
					</trans-title-group>
				</journal-title-group>
			<issn pub-type="ppub">1729-5459</issn>
			<publisher>
				<publisher-name>Кубанский государственный университет</publisher-name>
				<publisher-loc>RU</publisher-loc>
			</publisher>
			<self-uri xlink:href="https://vestnik.kubsu.ru/" />
		</journal-meta>
		<article-meta>
			<article-id pub-id-type="publisher-id">938</article-id>
			<article-id pub-id-type="doi">10.31429/vestnik-18-1-46-54</article-id>
			<article-categories>
				<subj-group xml:lang="ru" subj-group-type="heading"><subject>Научная статья</subject></subj-group>
				<subj-group xml:lang="en" subj-group-type="heading"><subject>Original article</subject></subj-group>
				<subj-group xml:lang="ru"><subject>Физика</subject></subj-group>
				<subj-group xml:lang="en"><subject>Physics</subject></subj-group>
			</article-categories>
			<title-group>
				<article-title xml:lang="ru">Масс-спектрометрия как эффективный метод измерения концентрации донорных примесей в висмутовых пленках</article-title>
				<trans-title-group xml:lang="en">
					<trans-title>Mass spectrometry as an effective method for measuring the concentration of donor impurities in bismuth films</trans-title>
					</trans-title-group>
			</title-group>
			<contrib-group content-type="author">
				<contrib >
					<name-alternatives>
						<string-name specific-use="display">Матвеев Д.Ю.</string-name>
						<name name-style="western" specific-use="primary" xml:lang="ru">
							<surname>Матвеев</surname>
							<given-names>Даниил Юрьевич</given-names>
						</name>
						<name name-style="western" xml:lang="en">
							<surname>Matveev</surname>
							<given-names>Daniyl Yu.</given-names>
						</name>
					</name-alternatives>
					<xref ref-type="aff" rid="aff-1" />
					<email>danila200586@mail.ru</email>
					<bio xml:lang="ru"><p>канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики Астраханского государственного университета</p></bio>
				</contrib>
			</contrib-group>
			<aff id="aff-1"><institution content-type="orgname" xml:lang="ru">Астраханский государственный университет, Астрахань</institution><institution content-type="orgname" xml:lang="en">Astrakhan State University, Astrakhan</institution></aff>
			<pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2021-03-30" publication-format="ppub">
				<day>30</day>
				<month>03</month>
				<year>2021</year>
			</pub-date>
			<volume>18</volume>
			<issue>1</issue>
				<fpage>46</fpage>
				<lpage>54</lpage>
			<history>
				<date date-type="received" iso-8601-date="2021-03-10">
					<day>10</day>
					<month>03</month>
					<year>2021</year>
				</date>
				<date date-type="accepted" iso-8601-date="2021-03-11">
					<day>11</day>
					<month>03</month>
					<year>2021</year>
				</date>
				<date date-type="pub" iso-8601-date="2021-03-30">
					<day>30</day>
					<month>03</month>
					<year>2021</year>
				</date>
			</history>
			<permissions>
				<copyright-statement>Copyright (c) 2021 Матвеев Д.Ю.</copyright-statement>
				<copyright-year>2021</copyright-year>
				<copyright-holder>Матвеев Д.Ю.</copyright-holder>
				<license xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0">
					<license-p>Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.</license-p>
				</license>
			</permissions>
			<self-uri xlink:href="https://vestnik.kubsu.ru/article/view/938" />
			<abstract xml:lang="en">
				<p>The possibility of determining the quantity of donor impurity of tellurium in bismuth samples by depth using the method of time-of-flight mass spectrometry and by the scanning electron microscopy method with concentration impurity up to 0,150 at. % Te is studied in present paper. To measure the amount of tellurium in bismuth samples, we were use a "LUMAS-30" time-of-flight mass spectrometer with a pulsed low-pressure glow gas discharge in a combined hollow cathode and a "Zeiss Evo-40" scanning electron microscope. The samples for measurements were cut from the start and middle of the ingots of the Bi99,85Te0,15 alloy with the required impurity concentration. The samples were presented themselves a thin plate in size 10 × 10 mm and 1 mm thickness. The samples were thoroughly washed in distilled water and then etched in a 65{\%} solution of nitric acid. The samples were strengthened as the bottom of the hollow cathode in the gas-discharge cell, where occurred the impulse ionization of the sample atoms in a glow discharge plasma. The relative error in the distribution of impurities in depth did not exceed 6%, while the error in determining the concentration of impurities by a mass spectrometer, according to passport data, does not exceed 5%. The sensitivity limit in determining the concentration of impurities in the device "LUMAS-30", according to the passport data is 10-6 at. %. As a result of research, we set that the time-of-flight mass spectrometry method allows very accurate determination of the tellurium impurity concentration, and also allows us to establish a uniform distribution of tellurium over the volume of a doped bismuth sample. The method of electron microscopy with using a "Zeiss Evo-40" microscope does not allow to assert a uniform distribution of tellurium over the sample volume.</p>
			</abstract>
			<abstract xml:lang="ru">
				<p>В работе приведены исследования определения количества донорной примеси теллура с концентраций примеси до 0,150 ат. % Те в пробах висмута по глубине методом времяпролетной масс-спектрометрии и электронной микроскопии. Пробы представляли собой тонкую протравленную в 65% растворе азотной кислоты пробу размером 10 × 10 мм и толщиной 1 мм. Результаты исследований показали, что метод времяпролетной масс-спектрометрии в отличие от метода электронной микроскопии позволяет обнаружить равномерное распределение теллура по объему легированного висмута, а также наиболее точно определить концентрацию примеси теллура в исследуемых пробах. Концентрация примеси в пробах считалась равной концентрации примеси в пленках.</p>
			</abstract>
			<kwd-group xml:lang="ru">
				<kwd>висмут</kwd>
				<kwd>теллур</kwd>
				<kwd>легирование</kwd>
				<kwd>донорная примесь</kwd>
				<kwd>тонкие пленки</kwd>
				<kwd>времяпролетная масс-спектрометрия</kwd>
				<kwd>сканирующая электронная микроскопия</kwd>
			</kwd-group>
			<kwd-group xml:lang="en">
				<kwd>bismuth</kwd>
				<kwd>tellurium</kwd>
				<kwd>doping</kwd>
				<kwd>donor impurity</kwd>
				<kwd>thin films</kwd>
				<kwd>time-of-flight mass spectrometry</kwd>
				<kwd>SEM</kwd>
			</kwd-group>
			<counts><page-count count="9" /></counts>
		</article-meta>
	</front>
	<body></body>
	<back>
		<ref-list>
			<ref id="R1"><mixed-citation><italic>Булатов М.Ф., Рыбаков А.В., Булатова А.Н., Ильясов Ф.К. </italic>Структурные свойства ферро гранатов в зависимости от условий синтеза и концентрации Ca // Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии. 2009. Т. 8. № 4. С. 86–90. . <italic>Prikaspiyskiy zhurnal: upravleniye i vysokiye tekhnologii</italic> , 2009, vol. 8, no. 4, pp. 86–90. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R2"><mixed-citation><italic>Matveev D.Yu., Starov D.V., Demidov E.V. </italic>Structure features of bismuth films doped with tellurium // Journal of nano-and electronic physics. 2018. Vol. 10. Iss. 2. P. 02047 (3 pp). DOI: 10.21272/jnep.10(2).02047</mixed-citation></ref>
			<ref id="R3"><mixed-citation><italic>Schnelle W.</italic> Electrical and galvanomagnetic properties of undoped and doped polycrystalline bismuth films. I. Preparation and experimental characterization // Phys. Stat. Sol. A. 1989. Vol. 115. Iss. 2. P. 505–513. DOI: 10.1002/pssa.2211150218</mixed-citation></ref>
			<ref id="R4"><mixed-citation><italic>Dillner U., Schnelle W.</italic> Electrical and galvanomagnetic properties of undoped and doped polycrystalline bismuth films. II. Analysis in an anisotropic one-carrier model // Phys. Stat. Sol. A. 1989. Vol. 116. Iss. 1. P. 337–342. DOI: 10.1002/pssa.2211160131</mixed-citation></ref>
			<ref id="R5"><mixed-citation><italic>Грабов В.М., Демидов Е.В., Комаров В.А., Матвеев Д.Ю. Николаева А.А., Маркушевс Д, Константинов Е.В., Константинова Е.Е.</italic> Размерный эффект в гальваномагнитных явлениях плёнок висмута, легированного теллуром // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48. № 5. С. 648–653. DOI: 10.1134/S106378261405008X . <italic>Semiconductors</italic>, 2014, vol. 48, no. 5, pp. 630–635. DOI: 10.1134/S106378261405008X (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R6"><mixed-citation><italic>Matveev D.Yu. </italic>Carrier Scattering Mechanisms in Bismuth Films Doped with Tellurium // Journal of nano-and electronic physics. 2016. Vol. 8. Iss. 3. P. 03012 (5 pp). DOI: 10.21272/jnep.8(3).03012</mixed-citation></ref>
			<ref id="R7"><mixed-citation><italic>Матвеев Д.Ю.</italic> Гальваномагнитные свойства блочных и монокристаллических пленок висмута, легированного теллуром, изготовленных на подложках из слюды-мусковит // Труды XIII международной конференции. 2016. Ч. 2: Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов. С. 268–273. . <italic>Trudy XIII mezhdunarodnoy konferentsii</italic> , 2016, part 2: Perspektivnyye tekhnologii, oborudovaniye i analiticheskiye sistemy dlya materialovedeniya i nanomaterialov , pp. 268–273. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R8"><mixed-citation><italic>Орлова Д.С., Рогачева Е.И. </italic>Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром // Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. 2009. Т. 7. № 2. C. 487–493. . <italic>Nanosistemy, nanomaterialy, nanotekhnologii</italic> , 2009, vol. 7, no. 2, pp. 487–493. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R9"><mixed-citation><italic>Иванов Г.А., Грабов В.М.</italic> Физические свойства кристаллов типа висмута // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29. № 5. С. 1040–1050. . <italic>Semiconductors</italic>, 1995, vol. 29, no. 5, pp. 1040–1050. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R10"><mixed-citation><italic>Ганеев А.А., Кузьменков М.А., Потапов С.В., Дробышев А.И., Воронов М.В. </italic>Анализ твердотельных образцов с ионизацией пробы в импульсном разряде в комбинированном полом катоде и время-пролетным детектированием ионов // Масс-спектрометрия. 2006. Т. 3. № 3. С. 185–192. . <italic>Mass-spektrometriya</italic> , 2006, vol. 3, no .3, pp. 185–192. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R11"><mixed-citation><italic>Ганеев А.А., Кузьменков М.А., Потапов С.В., Дробышев А.И., Воронов М.В.</italic> Времяпролетная масс-спектрометрия с ионизацией пробы в импульсном разряде в полом катоде для анализа твердотельных проводящих образцов // Масс-спектрометрия. 2005. Т. 2. № 4. С. 297–304. . <italic>Mass-spektrometriya</italic> , 2005, vol. 2, no. 4, pp. 297–304. (In Russian)]</mixed-citation></ref>
			<ref id="R12"><mixed-citation><italic>Грабов В.М., Демидов, Е.В, Комаров В.А.</italic> Ограничение подвижности носителей заряда в плёнках висмута, обусловленное их блочной структурой // Журнал Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2011. № 2. С. 81–85.</mixed-citation></ref>
			<ref id="R13"><mixed-citation><italic>Грабов В.М., Герега В.А., Демидов Е.В., Старицын М.В., Суслов А.В., Суслов М.В., Комаров В.А.</italic> Атомно-силовая микроскопия и электрические свойства монокристаллических пленок висмута // Журнал Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 9. С. 55–60. DOI: 10.31857/S1028096020090058</mixed-citation></ref>
		</ref-list>
	</back>
</article>