Колебательная система релаксационного типа на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом

  • Богатов Н.М. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Григорьян Л.Р. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
  • Куликов О.Н. Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
УДК: 621.385

Аннотация

Предложена эквивалентная схема полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, с помощью которой получено аналитическое выражение для периода колебаний тока и напряжения. Изучено влияние типа емкости контакта с поверхностно-барьерным переходом на длительность отдельных фаз протекания тока через полупроводниковую структуру. Выявлена взаимосвязь между химическим составом полупроводника, используемого для изготовления образцов полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом и частотой колебаний тока и напряжения.

Ключевые слова: полупроводниковая структура, поверхностно-барьерный переход

Информация об авторах

Николай Маркович Богатов
д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: bogatov@phys.kubsu.ru
Леонтий Рустемович Григорьян
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: leonmezon@mail.ru
Олег Николаевич Куликов
соискатель кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета
e-mail: oleg_kulik@mail.ru

Литература

  1. Косман М.С., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях // ФТТ. 1961. Т. 3. №11. С. 2504-2506.
  2. Муравский Б.С. Исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния // ФТТ. 1962. Т. 9. №4. С. 2485-2489.
  3. Муравский Б.С. Кузнецов В.И., Фризен Г.И., Черный В.Н. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока // ФТП. 1972. Т. 6. С. 2114-2122.
  4. Муравский Б.С., Куликов О.Н. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p$^+$-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе // ФТП. 2003. Т. 37. В. 4. С. 393-397.
  5. Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Электрофизические и фотоэлектрические своцства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе // Журнал радиоэлектроники 2000 №10. http://jre.cplire.ru/win/oct00/2/text.html.
  6. Муравский Б.С. Неравновесные процессы и токовая неустойчивость в контактах металл-полупроводник: Дисс. … д-ра физ.-мат. наук, 1983. Л. 413 с.
  7. Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М. Наука. 1981. 915 с.
  8. Мигулин В.В., Медведев В.И., Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Основы теории колебаний. М.: Наука. 1978. 392 с.
  9. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М.: Высшая школа. 1984. 528 с.
  10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 2 т. М.: Мир. 1984. 912 с.
  11. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. 1980. 296 с.
Выпуск
Страницы
17-22
Прислано
2012-02-17
Опубликовано
2012-12-25

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

1 2 > >>