Determining of capture time of nonequilibrium surface charge by open circuit voltage fall down in semi-conductor structures

Authors

  • Bogatov N.M. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация
  • Matveyakin M.P. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация
  • Pershin N.V. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация
  • Rodomanov R.R. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация

UDC

621.383.51

Abstract

The open circuit voltage $U_{oc}$ of silicon solar cells with the submicronic asymmetrical p-n-junction is investigated in the non-stationary mode. Dependence $U_{oc}(t)$ is explained by relaxation of the nonequilibrium surface charge on the boundary Si-SiO2 with the characteristic value of time $\tau\sim 1$ s.

Keywords:

semiconductor structures, photoelectric converters, surface states, nonequilibrium charge

Author Infos

Nikolay M. Bogatov

д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

e-mail: bogatov@phys.kubsu.ru

Mikhail P. Matveyakin

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

Nikolay V. Pershin

аспирант кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

Roman R. Rodomanov

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

References

  1. Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р., Яковенко Н.А. Автоматизация измерений спектральных характеристик двусторонних солнечных элементов // Автометрия. 2003. Т. 39. №6. С. 68-77.
  2. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Исследование влияния неравновесного заряда границы SiO2-Si на динамику спектральной чувствительности солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Известия вузов. Сев.-Кавказ. регион. Технические науки. 2006. №2. С. 52-54.
  3. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2006. №4. С. 63-67.
  4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с.
  5. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с.
  6. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: НТЛ, 2000. 426 с.
  7. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. Школа, 1987. 239 с.
  8. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: МГУ, 1999. 284 с.
  9. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. 280 с.

Downloads

Issue

2008. No. 2

Section

Physics

Pages

56-60

Submitted

2008-03-18

Published

2008-06-30

How to Cite

Bogatov N.M., Matveyakin M.P., Pershin N.V., Rodomanov R.R. Determining of capture time of nonequilibrium surface charge by open circuit voltage fall down in semi-conductor structures. Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation, 2008, no. 2, pp. 56-60. (In Russian)

Copyright (c) 2008 Bogatov N.M., Matveyakin M.P., Pershin N.V., Rodomanov R.R.

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.