Modeling of the radiation-induced formation of nano-sized defects in silicon

Authors

  • Onishchuk S.A. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация
  • Tumayev E.N. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация

UDC

538.97; 548.571; 548.4

Abstract

The model of formation and degradation of the radiation-induced defects like vacancies and bi-vacancies is developed. That is assumed that "hot" vacancies which characterized by the non-equilibrium electron distribution in the valence bonds is appearing with the help of ionizing radiation action. The behavior of these 'hot' vacancies generally differs from thermo dynamical equilibrium of 'cold' vacancies in the silicon. The kinetics of the formation and degradation of the bi-vacancies is researched.

Keywords:

vacancy, bi-vacancy, silicon, radiation-induced formation of defects, concentration

Author Infos

Sergey A. Onishchuk

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

e-mail: analyt@chem.kubsu.ru

Evgeniy N. Tumayev

д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры экспериментальной физики Кубанского государственного университета

e-mail: tumayev@phys.kubsu.ru

References

  1. Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 919-921.
  2. Антонова И.В., Шаймеев С.С., Смагулова С.А. Трансформация при отжиге электрически активных дефектов в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 5. С. 557-562.
  3. Азаров А.Ю., Титов А.И. Накопление структурных нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами PFn+ средних энергий // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 1. С. 7-12.
  4. Бадылевич М.Ю., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Немонотонные изменения концентраций радиационных дефектов донорного и акцепторного типа в кремнии, индуцируемые потоками β-частиц малой интенсивности // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 12. С. 1409-1411.
  5. Мурин Л.И., Маркевич В.П., Медведева И.Ф., Dobaczewski L. Бистабильность и электрическая активность комплекса вакансия-два атома кислорода в кремнии // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 11. С. 1316-1320.
  6. Баранов П.Г., Ионов А.Н., Ильин И.В., Копьев П.С., Мохов Е.Н., Храмцов В.А. Электронный парамагнитный резонанс в нейтронно-легированных полупроводниках с измененным изотопным составом // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 6. С. 984-995.
  7. Пагава Т.А. Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 4. С. 424-425.
  8. Пагава Т.А., Башелейшвили З.В. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах i n- и р-типа // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 5. С. 542-543.
  9. Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 915-917.
  10. Онищук С.А. Деградация солнечных элементов при облучении протонами. Материалы четвертой южнороссийской научной конференции "Энерго- и ресурсосберегающие технологии и установки". Краснодар: КВВАУЛ, 2005. С. 153-156.
  11. Онищук С.А., Климова Г.И., Шкаранда В.А. Облучение радиационностойких солнечных элементов потоком протонов. Материалы Международной дистанционной научно-практической конференции "Процессы и явления в конденсированных средах". Краснодар: Кубанский гос. ун-т, 2005. С. 45-57.
  12. Онищук С.А. Деградация солнечных элементов при нейтронном и протонном облучении // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. 2007. №2. С. 40-48.
  13. Светухин В.В., Сидоренко О.Г. К вопросу о моделировании радиационного упрочнения и радиационного охрупчивания металлов и сплавов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. 2007. №2. С.49-58.
  14. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1981. 368 с.
  15. Бурштейн А.И. Концентрационное тушение некогерентных возбуждений в растворах // УФН, 1984. Т. 143. Вып. 4. С. 553-600.

Downloads

Issue

2009. No. 1

Section

Physics

Pages

78-83

Submitted

2009-01-04

Published

2009-03-27

How to Cite

Onishchuk S.A., Tumayev E.N. Modeling of the radiation-induced formation of nano-sized defects in silicon. Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation, 2009, no. 1, pp. 78-83. (In Russian)

Copyright (c) 2009 Onishchuk S.A., Tumayev E.N.

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.