The density changing of electronic states of nanoscale disordered areas created by electrons in silicon

Authors

  • Bogatov N.M. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация
  • Kovalenko M.S. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация

UDC

532.2

Abstract

The dependences on the energy of density distribution of the electronic states in the forbidden zone of silicon are calculated numerically for the various parameters values of the nanoscail disordered areas. It is shown, that in the forbidden zone the power levels created by chaotically distributed vacancies within nanoscail disordered area are prevailed.

Keywords:

silicon, disordered area, electronic states

Author Infos

Nikolay M. Bogatov

д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой физики и информационных систем Кубанского государственного университета

e-mail: bogatov@phys.kubsu.ru

Maksim S. Kovalenko

аспирант кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета

e-mail: makc69@rambler.ru

References

  1. Наноэлектроника. Часть 1. Введение в наноэлектронику / Под. ред. Орликовского А.А. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009. 720 с.
  2. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. 592 с.
  3. Богатов Н.М., Коваленко М.С. Кремний с наноразмерными областями разупорядочения // Современные наукоёмкие технологии. 2008. №2. С. 109-110.
  4. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат. 1989. 96 с.
  5. Кинчин Г.Х., Пиз Р.С. Смещение атомов твердых тел под действием излучения // Успехи физ. наук. 1956. Т. 60. №4. С. 590-615.
  6. Lindhard J., Nielson V., Scharff M., Thomson P.V. Integral equations covering radiation effects notes an atomic collision II // Kgl. Danske Vid. Selsk. Mat. Fys. Medd. 1963. Vol. 33. No 10. P. 14-42.
  7. Van Lint V.A., Leadon R.E., Colwell J.F. Energy dependence of displacement effects in semiconductors // IEEE Trans. of Nucl. Sci. 1972. Vol. NS-19. No 6. P. 181-185.
  8. Van Lint V.A., Leadon R.E. Implications of cluster model of neutron effects in silicon // Lattice Defects in Semiconductors. Conf. 1974. London-Bristol. Institute of Physics. 1975. P. 227-232.
  9. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (теория, метод расчета, таблицы). Минск. БГУ. 1980. 352 с.
  10. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь. 1981. 248 с.
  11. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Т. 2. Экспериментальные аспекты. М.: Мир. 1985. 304 с.
  12. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977. 672 c.
  13. Andersen H.H., Csete A., Ichioka T., Knudsen H., Moller S.P., Uggerhoj U.I. An apparatus to measure stopping powers for low-energy antiprotons and protons // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В. 2002. Vol. 194. P. 217-225.
  14. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.
  15. Nieminen R.M., Puska M.J. Vacancy defects in c-Si: electronic and ionic structures // Properties of Crystalline Silicon, London: INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, 1999. P. 309-318.

Downloads

Issue

2011. No. 1

Pages

19-24

Submitted

2011-02-24

Published

2011-03-25

How to Cite

Bogatov N.M., Kovalenko M.S. The density changing of electronic states of nanoscale disordered areas created by electrons in silicon. Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation, 2011, no. 1, pp. 19-24. (In Russian)

Copyright (c) 2011 Bogatov N.M., Kovalenko M.S.

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.