Спектральные и проводящие характеристики тонкопленочных структур на основе фуллерена
УДК
53.06, 538.9, 621.31, 621.38DOI:
https://doi.org/10.31429/vestnik-16-2-48-58Аннотация
С перспективой возможности управления процессами самоорганизации наноразмерных структур в представленной работе рассматриваются углеродные пленки, полученные методом последовательного осаждения из растворов фуллеренов в различных видах растворителей. Предоставлена оценка микрофотографии поверхности тонкопленочных структур. Проанализированы ИК-спектры полученных образцов и дана сравнительная характеристика для объёма осаждённого раствора 0,15 мл и 1 мл. Исследованы проводящие свойства тонкопленочных структур.
Ключевые слова:
фуллерен, C60, растворитель, вольт-амперная характеристика, тонкопленочные структуры, топологияБиблиографические ссылки
- Сидоров Л.Н., Юровская М.А., Борщевский А.Я., Трушков И.В., Иоффе И.Н. Фуллерены // М.: Экзамен. 2005. 688 с.
- Zhang Y., Murtaza I., Meng H. Development of fullerenes and their derivatives as semiconductors in field-effect transistors: exploring the molecular design // J. Mater. Chem. C. 2018. Vol. 6. Iss. 14. P. 3514–3537.
- Агапьев К.Б., Врубель И.И., Полозков Р.Г., Иванов В.К. Вычисления потенциала и распределения электронной плотности фуллеренов C60+, C60 и C60- // Неделя науки СПбПУ. 2016. С. 314–316.
- Moet D.J.D., de Bruyn P., Kotlarski J.D., Blom P.W.M. Enhanced efficiency in double junction polymer:fullerene solar cells // Organic Electronics. 2010. Vol. 11. P. 1821–1827.
- Gattia T., Menna E., Meneghetti M., Maggini M., Petrozza A., Lamberti F. The Renaissance of fullerenes with perovskite solar cells // Nano Energy. 2017. Vol. 41. P. 84–100.
- Белоусова И.М., Данилов О.Б., Сидоров А.И. Нелинейно-оптические ограничители лазерного излучения // Оптический журнал. 2009. T. 76. № 4. C. 71–85.
- Park S., Srivastava D., Cho K. Generalized chemical reactivity of curved surfaces: carbon nanotubes // Nanotechnology. 2001. Vol. 12. Iss. 3. P. 245–249.
- Vasconcelos R.C., Aleixo V.F.P., Del Nero J. Organic field effect transistor composed by fullerene C60 and heterojunctions // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2017. Vol. 86. P. 142–145.
- Li Z., Zhang Q., Zhang C., Li H., Lu J. High quality fullerene film based on electrophoresis deposition for RRAM device application // Organic Electronics. 2019. Vol. 66. P. 70–75.
- Dao T.T., Matsushima T., Murata H. Organic nonvolatile memory transistors based on fullerene and an electron-trapping polymer // Organic Electronics. 2012. Vol. 13. P. 2709–2715.
- Мазинов А.С., Работягов К.В., Гурченко В.С., Тютюник А.С. Влияние структурных особенностей фуллеренсодержащего материала на его резистивные свойства // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2018. Т. 15. Вып. 2. С. 86–93.
- Шевченко А.И., Работягов К.В., Максимова Е.М., Наухацкий И.А., Батиашвили Л.А.Фуллеренсодержащий материал, полученный низкотемпературным крекингом из резиносодержащих отходов // Вестник ТГУ. 2017. Т. 22. Вып. 2. С. 459–463.
- Работягов К.В., Сай Е.В., Максимова Е.М., Наухацкий И.А., Карпенко Н.И., Шевченко А.И., Мазинов А.С. Исследование структуры и физико-химических свойств пористых углеродных материалов, полученных низкотемпературным крекингом // Учёные записки Крымского федерального университета имени В.И. Вернадского. Серия "Биология, химия". 2015. Т. 1 (67). № 3. С. 125–131.
- Безмельницын В.Н., Елецкий А.В., Окунь М.В. Фуллерены в растворах // Успехи физических наук. 1998. Т. 168. Вып. 11. С. 1196–1219.
- Мазинов А.С., Гурченко В.С., Тютюник А.С., Шевченко А.И. Влияние структурных особенностей фуллеренсодержащего материала на его резистивные свойства при осаждении из раствора // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2018. Т. 15. № 4. С. 85–92.
Загрузки
Отправлено
Опубликовано
Как цитировать
Copyright (c) 2019 Мазинов А.С., Гурченко В.С., Шевченко А.И., Арутинов Н.Э., Тютюник А.С.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.