Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом

Авторы

  • Богатов Н.М. Кубанский государственный университет, Краснодар, Российская Федерация
  • Корнеев А.И. Кубанский государственный университет, Краснодар, Российская Федерация
  • Матвеякин М.П. Кубанский государственный университет, Краснодар, Российская Федерация
  • Родоманов Р.Р. Кубанский государственный университет, Краснодар, Российская Федерация

УДК

621.383.51

Аннотация

Спектральные характеристики кремниевых солнечных элементов с субмикронным несимметричным p-n-переходом исследованы в нестационарном режиме. Определено характерное время накопления неравновесного заряда на границе SiO2-Si. Метод позволяет контролировать однородность электронных свойств границы раздела диэлектрик-полупроводник.

Информация об авторах

  • Николай Маркович Богатов

    д-р. физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

  • Антон Игоревич Корнеев

    аспирант кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

  • Михаил Петрович Матвеякин

    канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

  • Роман Робертович Родоманов

    канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

Библиографические ссылки

  1. Willeke G.P. Thin crystalline silicon solar cells // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2002. Vol. 72. Iss. 1-4. P. 191-200.
  2. Zhao J. Recent advances of high-efficiency single crystalline silicon solar cells in processing technologies and substrate materials // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2004. Vol. 82. Iss. 1-2. P. 53-64.
  3. Agostinelli G., Delabie A., Vitanov P., Alexieva Z., Dekkers H.F.W., De Wolf S., Beaucarne G. Very low surface recombination velocities on p-type silicon wafers passivated with a dielectric with fixed negative charge // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2006. Vol. 90. Iss. 18-19. P. 3438-3443.
  4. Majumdar D., Dutta S.K., Chatterjee S., Saha H. Effect of controlled dopant distribution in thin silicon solar cell // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2004. Vol. 81. Iss. 4. P. 459-468.
  5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с.
  6. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с.
  7. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: НТЛ, 2000. 426 с.
  8. Jain S.C., Heasell E.L., Roulston D.J. Recent advances in the physics of silicon PN junction solar cells including theire transient response // Progr. Quant. Electron. 1987. Vol. 11. Iss. 2. P. 105-204.
  9. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент. М.: Энергоатомиздат, 1987. 280 с.
  10. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. 280 с.
  11. Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р., Яковенко Н.А. Автоматизация измерений спектральных характеристик двусторонних солнечных элементов // Автометрия. 2003. Т. 39. №6. С. 68-77.
  12. Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Исследование влияния неравновесного заряда границы SiO2-Si на динамику спектральной чувствиительности солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Известия вузов. Сев.-Кавказ. регион. Технические науки. 2006. №2. С. 52-54.
  13. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: МГУ, 1999. 284 с.
  14. Cousins P.J., Cotter J.E. Minimizing lifetime degradation associated with thermal oxidation of upright randomly textured silicon surfaces // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2005. Vol. 90. Iss. 2. P. 228-240.

Скачивания

Данные по скачиваниям пока не доступны.

Загрузки

Выпуск

№ 4 (2006)

Страницы

63-67

Раздел

Физика

Даты

Поступление

26 сентября 2006

После доработки

26 октября 2006

Публикация

25 декабря 2006

Как цитировать

[1]
Богатов, Н.М., Корнеев, А.И., Матвеякин, М.П., Родоманов, Р.Р., Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом. Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества, 2006, № 4, pp. 63–67.

Лицензия

Copyright (c) 2006 Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р.

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

<< < 1 2