Oscillatory system of relaxation type on the base semiconductor structures with surface-barrier junction

Authors

  • Bogatov N.M. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация
  • Grigoryan L.R. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация
  • Kulikov O.N. Kuban State University, Krasnodar, Российская Федерация

UDC

621.385

Abstract

In this paper we suggest the equivalent circuit of semiconductor structure, with help of which the analytical expression for the period of current and voltage oscillations has been obtained. We investigated the influence of surface-barrier junction contact capacity type on duration of separate phases of a current passing through the semiconductor structure. We obtained correlation between chemical composition of the semiconductor used for manufacturing semiconductor structure samples and frequency of current and voltage oscillations

Keywords:

semiconductor structure, surface-barrier junction

Author Infos

Nikolay M. Bogatov

д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой физики и информационных систем Кубанского государственного университета

e-mail: bogatov@phys.kubsu.ru

Leontiy R. Grigoryan

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета

e-mail: leonmezon@mail.ru

Oleg N. Kulikov

соискатель кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета

e-mail: oleg_kulik@mail.ru

References

  1. Косман М.С., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях // ФТТ. 1961. Т. 3. №11. С. 2504-2506.
  2. Муравский Б.С. Исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния // ФТТ. 1962. Т. 9. №4. С. 2485-2489.
  3. Муравский Б.С. Кузнецов В.И., Фризен Г.И., Черный В.Н. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока // ФТП. 1972. Т. 6. С. 2114-2122.
  4. Муравский Б.С., Куликов О.Н. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p$^+$-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе // ФТП. 2003. Т. 37. В. 4. С. 393-397.
  5. Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Электрофизические и фотоэлектрические своцства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе // Журнал радиоэлектроники 2000 №10. http://jre.cplire.ru/win/oct00/2/text.html.
  6. Муравский Б.С. Неравновесные процессы и токовая неустойчивость в контактах металл-полупроводник: Дисс. … д-ра физ.-мат. наук, 1983. Л. 413 с.
  7. Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М. Наука. 1981. 915 с.
  8. Мигулин В.В., Медведев В.И., Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Основы теории колебаний. М.: Наука. 1978. 392 с.
  9. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М.: Высшая школа. 1984. 528 с.
  10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 2 т. М.: Мир. 1984. 912 с.
  11. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. 1980. 296 с.

Downloads

Issue

2012. No. 4

Pages

17-22

Submitted

2012-02-17

Published

2012-12-25

How to Cite

Bogatov N.M., Grigoryan L.R., Kulikov O.N. Oscillatory system of relaxation type on the base semiconductor structures with surface-barrier junction. Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation, 2012, no. 4, pp. 17-22. (In Russian)

Copyright (c) 2012 Bogatov N.M., Grigoryan L.R., Kulikov O.N.

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.