Фотоэлектрические характеристики термофотоэлектрических преобразователей n–InAs/n–GaInPSbAs/p–GaInPSbAs
УДК
538.951, 538.956EDN
XBKOMQDOI:
10.31429/vestnik-22-3-56-61Аннотация
Приводятся результаты исследований, направленные на создание методом зонной перекристаллизации градиентом температуры (ЗПГТ) высокоэффективных термоэлектрических преобразователей n–InAs/n–GaInPSbAs/p–GaInPSbAs/p–AlGaAsSb, работающих в спектральном диапазоне 0,5–2,5 мкм. Использование пятикомпонентных твердых растворов GaInPSbAs в качестве активной области термофотоэлектрических (ТФЭ) преобразователей позволяет оценить путем изменения концентрации компонентов влияние плотности дислокаций несоответствия на оптические и спектральные характеристики ТФЭ-преобразователей: внешний квантовый выход, напряжение холостого хода Uxx, фактора заполнения FF и плотность тока короткого замыкания j.
Ключевые слова:
плотность дислокаций, напряжение холостого хода, фактор заполнения, плотность токаИнформация о финансировании
Работа выполнена в рамках государственных заданий ФИЦ ЮНЦ РАН №125011200142-7, а также в рамках инициативной НИР ЮРГПУ(НПИ) №ПЗ-392.
Библиографические ссылки
- Andreev, V.M., Khvostikov, V.P., Larionov, V.R., Rumyantsev, V.D., Sorokina, S.V., Shvarts, M.Z., Vasil'ev, V.I., Vlasov, A.S., Tandem GaSb/InGaAsSb thermophotovoltaic cells. Proc. of the 1997 IEEE 26th Photovoltaic Specialists Conference, 1997, pp. 935–938. URL: https://www.academia.edu/51362352/Tandem_GaSb_InGaAsSb_thermophotovoltaic_cells
- Ferrari, C., Melino, S., Pinelli, M., Spina, P.R., Venturini, M., Overview and status of thermophotovoltaic systems. Energy Procedia, 2014, vol. 45, pp. 160–169. DOI: 10.1016/j.egypro.2014.01.018
- Krishtopenko, S.S., Ruffenach, S., Gonzalez-Posada, F., Boissier, G., Marcinkiewicz, M., Fadeev, M.A., Kadykov, A.M., Rumyantsev, V.V., Morozov, S.V., Gavrilenko, V.I., Consejo, C., Desrat, W., Jouault, B., Knap, W., Tournié, E., Teppe, F., Temperature-dependent terahertz spectroscopy of inverted-band three-layer InAs/GaSb/InAs quantum well. Phys. Rev. B, 2018, vol. 97, no. 24, pp. 245419-1–245419-8. DOI: 10.1103/PhysRevB.97.245419
- Алфимова, Д.Л., Лунин, Л.С., Лунина, М.Л., Выращивание и свойства твердых растворов GayIn1-yPzAs1-x-zBix на подложках GaP. Неорганические материалы, 2014, т. 50, №2, с. 127–133. [Alfimova, D.L., Lunin, L.S., Lunina, M.L., Growth and properties of GayIn1-yPzAs1-x-zBix solid solutions on GaP substrates. Inorganic Materials, 2014, vol. 50, no. 2, pp. 113–119. DOI: 10.1134/S0020168514020010] DOI: 10.7868/s0002337x14020018
- Лозовский, В.Н., Лунин, Л.С., Аскарян, Т.А., Метод расчета изопараметрических составов и ширины запрещенной зоны в пятикомпонентных твердых растворах на основе соединений A3B5. Изв. вузов. Сер. физ., 1989, т. 32, №7, с. 41–47. [Lozovsky, V.N., Lunin, L.S., Askaryan, T.A., Method for calculating isoparametric compositions and band gap widths in five-component solid solutions based on A3B5 compounds. Izvestiya vuzov. Seriya fizika = Soviet Physics Journal, 1989, vol. 32, no. 7, pp. 41–47. (in Russian)]
- Лозовский, В.Н., Лунин, Л.С., Пятикомпонентные твердые растворы соединений AIIIBV (новые материалы оптоэлектроники). СКНЦ ВШ, Ростов-на-Дону, 1992. [Lozovsky, V.N., Lunin, L.S., Pyatikomponentnye tverdye rastvory soedinenij AIIIBV (novye materialy optoelektroniki) = Five-component solid solutions of III-V compounds. Rostov-on-Don, SKNC VSh, 1992. (in Russian)]
- Дейбук, В.Г., Термодинамическая устойчивость эпитаксиальных пленок GaInSb, InAsSb, GaInP. Физика и техника полупроводников, 2003, т. 37, № 10, с. 1179–1183. [Deybuk, V.G., Thermodynamic stability of epitaxial films GaInSb, InAsSb, GaInP. Fizika i tekhnika poluprovodnikov = Semiconductors, 2003, vol. 37, iss. 10, pp. 1179–1183. (in Russian)]
Скачивания
Даты
Поступила в редакцию
Принята к публикации
Публикация
Как цитировать
Лицензия
Copyright (c) 2025 Лунина М.Л., Лунин Л.С., Донская А.В.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
