The study of barium-gadolinium, barium-yttrium and barium-bismuth double molybdates as a potential active media for microchip Raman lasers
[ Исследование двойных молибдатов бария-гадолиния, бария-иттрия и бария-висмута как потенциальных активных сред для микрочиповых ВКР-лазеров ]
УДК
538.9DOI:
https://doi.org/10.31429/vestnik-16-3-63-67Аннотация
В настоящей работе синтезированы соединения BaR2(MoO4)4 (где R = Gd, Y, Bi), и впервые, насколько нам известно, проведено сравнительное исследование спектров комбинационного рассеяния этих соединений. Показано, что эти соединения, потенциально, являются перспективными активными средами для преобразования лазерного излучения на эффекте вынужденного комбинационного рассеяния (ВКР), в частности, в составе микрочипового ВКР-лазера. Пиковые и интегральные сечения наиболее интенсивных полос в спектре комбинационного рассеяния (в области 850 см-1 и 950 см-1) рассматриваемых соединений по величине сравнимы с сечениями вольфрамата бария — хорошо известного высокоэффективного ВКР-кристалла. Было обнаружено, что пиковые интенсивности колебания около 850 см-1 снижаются с уменьшением радиуса и массы катиона R3+. Порог оптического разрушения кристаллов BaBi2(MoO4)4 и BaGd2(MoO4)4 на сколотой (не полированной) поверхности составил около 500 МВт/см2.
Ключевые слова:
комбинационное рассеяние, оптические материалы и свойства, структура кристалловФинансирование
Библиографические ссылки
- Basiev T.T., Osiko V.V., Prokhorov A.M., Dianov E.M. Crystalline and fiber Raman lasers. In: Sorokina, I.T., Vodopyanov, K.L. (Eds.). Solid State Mid Infrared Laser Sources. Springer, Berlin, 2003, pp. 359–408.
- Basiev T., Doroshenko M., Ivleva L., Voronina I., Konjushkin V., Osiko V., Vasilyev S. Demonstration of high self-Raman laser performance of a diode pumped SrMoO4:Nd3+ crystal // Opt. Lett. 2009. Vol. 34. P. 1102–1104. DOI: 10.1364/OL.34.001102
- Basiev T.T., Zverev P.G., Karasik A.Ya., Osiko V.V., Sobol' A.A., Chunaev D.S. Picosecond stimulated Raman scattering in crystals // J. Exp. Theor. Phys. 2004. Vol. 99. P. 934–941. DOI: 10.1134/1.1842874
- Šulc J., Jelínková H., Basiev T.T., Doroschenko M.E., Ivleva L.I., Osiko V.V., Zverev P.G. Nd:SrWO4 and Nd:BaWO4 Raman lasers // Opt. Mater. 2007. Vol. 30. P. 195–197. DOI: 10.1016/j.optmat.2006.10.019
- Zayhowski J.J. Microchip lasers. In: Denker B., Shklovsky E. (eds.) Handbook of Solid-State Lasers: Materials, Systems and Applications. Woodhead Publishing, 2013. P. 359–402.
- Demidovich A.A., Apanasevich P.A., Batay L.E., Grabtchikov A.S., Kuzmin A.N., Lisinetskii V.A., Orlovich V.A., Kuzmin, O.V., Hait V.L., Kiefer W., Danailov M.B. Sub-nanosecond microchip laser with intracavity Raman conversion // Applied Physics B. 2003. Vol. 76. P. 509–514. DOI: 10.1007/s00340-003-1149-z
- Demidovich A.A., Voitikov S.V., Batay L.E., Grabtchikov A.S., Danailov M.B., Lisinetskii V.A., Kuzmin A.N., Orlovich V.A. Modeling and experimental investigation of short pulse Raman microchip laser // Optics Communications. 2006. Vol. 263. P. 52–59. DOI: 10.1016/j.optcom.2006.01.007.
- Muktha B., Madras G., Guru Row T.N. A novel scheelite-like structure of BaBi2Mo4O16: Photocatalysis and investigation of the solid solution, BaBi2Mo4-xWxO16 (0.25≤x≤1) // J. Photochem. Photobiol., A: Chemistry. 2007. Vol. 187. P. 177–185. DOI: 10.1016/j.jphotochem.2006.10.016.
- Fedorov N.F., Ipatov V.V., Rozhnovskaya G.I. Phase equilibria in the BaMoO4-Ln2(MoO4)3 systems (Ln = Nd or Gd) // Russ. J. Inorg. Chem. 1982. Vol. 27. P. 1019–1022.
- Vakulyuk V.V., Evdokimov A.A., Khomchenko G.P. The BaMoO4-Ln2(MoO4)3 systems (Ln = Nd, Sm, Yb) // Russ. J. Inorg. Chem. 1982. Vol. 27. P. 1016–1019
- Zhao D., Lin Z., Zhang L., Wang G. Growth and spectroscopic characterizations of Nd3+-doped BaGd2(MoO4)4 crystal // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. P. 1018–1021. DOI: 10.1088/0022-3727/40/4/015.
- Zhu H.M., Chen Y.J., Lin Y.F., Gong X.H., Luo Z.D., Huang Y.D. Polarized spectral properties and laser demonstration of Nd3+:BaGd2(MoO4)4 cleavage crystal // J. Opt. Soc. Am. B. 2007. Vol. 24. P. 2659–2665. DOI: 10.1364/JOSAB.24.002659.
- Zhu H.M., Chen Y.J., Lin Y.F., Gong X.H., Luo Z.D., Huang Y.D. Efficient 1.06 μm laser operation in an unprocessed Nd3+:BaGd2(MoO4)4 cleavage microchip // Appl. Phys. B. 2008. Vol. 93. P. 429–432. DOI: 10.1007/s00340-008-3196-y
- Lebedev A.V., Avanesov S.A. Barium–Bismuth molybdate – a novel promising material for stimulated Raman scattering // Mater. Lett. 2015. Vol. 161. P. 661–664. DOI: 10.1016/j.matlet.2015.09.054
- Basiev T.T, Sobol A.A., Voronko Yu.K, Zverev P.G. Spontaneous Raman spectroscopy of tungstate and molybdate crystals for Raman lasers // Opt. Mater. 2000. Vol. 15. P. 205–216. DOI: 10.1016/S0925-3467(00)00037-9
Загрузки
Отправлено
Опубликовано
Как цитировать
Copyright (c) 2019 Лебедев А.В., Аванесов С.А., Хаммуд А.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.