Теплофизические особенности роста крупных монокристаллов вольфрамата бария для ВКР-преобразования лазерного излучения
УДК
538.911Аннотация
В работе представлен модифицированный метод Чохральского выращивания монокристаллов вольфрамата бария и проанализированы условия роста. Показана возможность и предложен способ подбора оптимальных параметров ростовой системы, обеспечивающих стабильный рост кристаллов высокого оптического качества и позволяющих производить ускоренное (до 150 °С/час) охлаждение выращенного монокристалла до комнатной температуры, сокращая временные затраты на отдельный ростовой процесс.
Ключевые слова:
монокристалл, ВКР, метод выращивания, вольфрамат бария, метод ЧохральскогоИнформация о финансировании
Работа выполнена при финансовой поддержке ФЦП "Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы" Министерства образования и науки РФ (16.513.11.3080).
Библиографические ссылки
- Basiev T.T., Sobol A.A., Zverev P.G., Osiko V.V., Powell R.C. Comparative Spontaneous Raman Spectroscopy of Crystals for Raman Lasers // Appl. Opt. 1999. Vol. 38. P. 594-598.
- Ge W., Jhang H., Wang J., Liu J., Xu X., Hu X., Li J., Jiang M. Growth of large dimension BaWO4 crystal by the Czochralski method // J. Crystal Growth. 2004. Vol. 270. P. 582-588.
- Ivleva L.I., Voronina I.S., Lykov P.A., Berezovskaya L.Yu., Osiko V.V. Growth of optically homogeneous BaWO4 single crystals for Raman lasers // J. Crystal Growth. 2007. Vol. 304. P. 108-113.
- Cockayne B., Chesswas M., Gasson D.B. Facetting and Optical Perfection in Czochralski Grown Garnets and Ruby// J.Mat. Sc. 1969. Vol. 4. P. 450-456.
- Денисов А.В. Исследование условий получения и реальной структуры кристаллов группы шеелита, выращенных методом Чохральского: Дисс. … канд. геол.-минерал. наук. СПб. 2005. 166 с.
- Parant J.P., Villela G., Gourier D., Sergent C. Le, Dumas J.P. Influence of chromium content on the coloration of PbMoO4 crystals // J. Crystal Growth. 1981. Vol. 52. P. 576-579.
- Багдасаров Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. 160 с.
- Xiao Qiang, Derby Jeffrey J. Heat transfer and interface inversion during the Czochralski growth of yttrium aluminum garnet and gadolinium gallium garnet// J. Crystal Growth. 1994. Vol. 139. P. 147-157.
- Hayashi A., Kobayashi M., Jing C.,Tsukada T., Hozawa M. Numerical simulation of the Czochralski growth process of oxide crystals with a relatively thin optical thickness // Int. J. Heat Mass Transfer. 2004. Vol. 47. P. 5501-5509.
- Banerjee J., Muralidhar K. Role of internal radiation during Czochralski growth of YAG and Nd:YAG crystals // Int. J. Thermal Sciences. 2006. Vol. 45. P. 151-167.
Скачивания
Загрузки
Даты
Поступила в редакцию
Принята к публикации
Публикация
Как цитировать
Лицензия
Copyright (c) 2012 Исаев В.А., Игнатьев Б.В., Лебедев А.В., Плаутский П.Г., Аванесов С.А.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
