Распределение заряда в резком несимметричном равновесном n-p-переходе
УДК
537.222.22Аннотация
Уравнение Пуассона для полупроводника в равновесном состоянии решено численно. Рассчитаны электрический потенциал и плотность заряда в области пространственного заряда (ОПЗ) резкого несимметричного n-p-перехода. Показано, что структура ОПЗ резкого сильно несимметричного n-p-перехода существенно отличается от модели области, обеднённой носителями заряда, так как содержит слой, обогащенный носителями заряда.
Ключевые слова:
полупроводник, n-p-переход, электрический потенциал, носители зарядаБиблиографические ссылки
- Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors // Bell Syst. Tech. J. 1949. Vol. 28. No. 7. P. 435-439.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир. 1984. 456 с. [Zee S. Physics of semiconductor devices. Book 1. Moscow, Mir Publ., 1984, 456 p.]
- Pulfrey D.L. Understanding Modern Transistors and Diodes. Cambridge University Press, 2010. 335 p.
- Redfield D. Revised model of asymmetric p-n junctions // Applied Physics Letters. 1979. Vol. 35, July 15. P. 182-184.
- Pfitzner A. Numerical solution of the one-dimensional phenomenological transport equation set in semiconductors // Electron Technology. 1977. Vol. 10. No. 4. P. 3-21.
- Шевченко А.И., Мазинов А.С., Писаренко Л.Д. Численно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных p-n переходов // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит. Спец. выпуск. 2013. Т. 1, № 8 (114). С. 182-186. [Shevchenko A.I., Mazinov A.S., Pisarenko L.D. Chislenno-analiticheskiy podkhod i rabochie kharakteristiki frontal'nykh p-n perekhodov [Numerical and analytical approach and performance the frontal p-n junction]. Energosberegenie. Energetika. Energoaudit [Energy saving. Energy. Energy audit], 2013, vol. 1, no. 8 (114), Sp. Iss. - "Pribory i ustroystva silovoy energetiki", pp. 182-186. (In Russian)]
- Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду тока короткого замыкания // Известия высших учебных заведений. Северо-кавказский регион. Естественные науки. 2008. № 6. С. 39-41. [Bogatov N.M., Matveyakin M.P., Pershin N.V., Rodomanov R.R. Opredelenie vremeni zahvata neravnovesnogo poverhnosnouo zaryada v poluprodnikovyh strukturah po spadu toka korotkogo zamykaniya [The timing of the capture of nonequilibrium surface charge in semiconductor structures from the decay of short circuit current]. Izvestia vyshyh uchebnyh zavedeniy, Severo-kavkazskiy region. Estestvennye nauki [News of higher educational institutions. The North Caucasus region. Science], 2008, no. 6, pp. 39-41. (In Russian)]
- Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р. Определение времени захвата неравновесного поверхностного заряда в полупроводниковых структурах по спаду фотоэдс // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2008. № 2. С. 57-61. [Bogatov N.M., Matveyakin M.P., Pershin N.V., Rodomanov R.R. Opredelenie vremeni zahvata neravnovesnogo poverhnosnouo zaryada v poluprodnikovyh strukturah po spadu fotoeds [The timing of the capture of nonequilibrium surface charge in semiconductor structures from the decay of the thermo-EMF]. Ekologichtskiy vestnik nauchnyh centrov Chernomorskogo ekonomicheskogo sotrudnichestva [Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation], 2008, no. 2, pp. 57-61. (In Russian)]
- Богатов Н.М. Анализ влияния легирующих примесей на эффективность солнечных элементов из монокристаллического кремния // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 6 (260). С. 48-53. [Bogatov N.M. Analiz vliyaniya legiruyuschih primesey na effektivnost solnechnyh elementov iz monokristallicheskogo kremniya [Analysis of the influence of dopants on the efficiency of solar cells made from monocrystalline silicon]. Elektronnaya tehnika. Ser. 6. Materialy [Electronic equipment. Ser. 6. Materials], 1991, no. 6 (260), pp. 48-53. (In Russian)]
- Богатов Н.М. Анализ влияния рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперную характеристику кремниевых солнечных элементов // Гелиотехника. 1990. № 6. С. 49-53. [Bogatov N.M. Analiz vliyaniya rekombinacii v oblasti prostranstvennogo zaryada na volt-ampernuyu harakteristiku kremnievyh solnechnyh elementov [Analysis of the effect of recombination in the space charge region on the current-voltage characteristics of silicon solar cells]. Geliotekhnika [Solar energy equipment], 1990, no. 6. pp. 49-53. (In Russian)]
Скачивания
Загрузки
Даты
Поступила в редакцию
2 августа 2016
Принята к публикации
21 августа 2016
Публикация
30 сентября 2016
Как цитировать
[1]
Богатов, Н.М., Распределение заряда в резком несимметричном равновесном n-p-переходе. Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества, 2016, № 3, pp. 12–17.
Лицензия
Copyright (c) 2016 Богатов Н.М.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
