Моделирование отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном литием

Авторы

  • Богатов Н.М. Кубанский государственный университет, Краснодар, Российская Федерация
  • Коваленко М.С. Кубанский государственный университет, Краснодар, Российская Федерация

УДК

548.571; 548.4

Аннотация

На основе решения системы уравнений квазихимических реакций рассчитана кинетика процесса образования вторичных радиационных дефектов в кремнии, содержащем примеси фосфора, бора, лития, кислорода и углерода. Определены основные закономерности изменения концентраций вторичных радиационных дефектов на этапе изотемпературного отжига, следующего за облучением потоком электронов либо протонов.

Информация об авторах

  • Николай Маркович Богатов

    д-р физ.-мат. наук, профессор, академик АИН РФ, зав. кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

  • Михаил Сергеевич Коваленко

    инженер кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

Библиографические ссылки

  1. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с.
  2. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат, 1989. 96 с.
  3. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.
  4. Холодарь Г.А., Данковский Ю.И., Конопляный В.В., Винецкий В.Л. Непрямая рекомбинация вакансий и межузельных атомов в облучаемом кремнии // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 9. С. 1712-1718.
  5. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с.
  6. Gilmer T.E., Franks R.K., Bell R.I. An optimal study of lithium and lithium-oxygen complexes as donor impurities in silicon // Phys. Chem. Solids. 1965. Vol. 26. No 8. P. 1195-1204.
  7. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 205 с.
  8. Weinberg I., Irving, Swarts C. K., Mehta S. Increased radiation resistance in lithium - counterdoped silicon solar cells // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44. No 11. P. 1071-1073.
  9. Асеев А.Л., Федина Л.И., Хель Д., Барч Х. Скопление междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск.: Наука. Сиб. Отделение, 1991. 149 с.
  10. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского // Поверхность. 1999. №3. С. 72-78.
  11. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского, легированном литием // Поверхность. 1999. №8. С. 66-69.

Скачивания

Данные по скачиваниям пока не доступны.

Загрузки

Выпуск

№ 3 (2006)

Страницы

77-83

Раздел

Химия

Даты

Поступление

10 июля 2006

После доработки

29 июля 2006

Публикация

25 сентября 2006

Как цитировать

[1]
Богатов, Н.М., Коваленко, М.С., Моделирование отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном литием. Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества, 2006, № 3, pp. 77–83.

Лицензия

Copyright (c) 2006 Богатов Н.М., Коваленко М.С.

Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Наиболее читаемые статьи этого автора (авторов)

1 2 > >>