Modeling of radiation defects annealing in lithium-doped silicon

Authors

  • Bogatov N.M. Kuban State University, Krasnodar, Russian Federation
  • Kovalenko M.S. Kuban State University, Krasnodar, Russian Federation

UDC

548.571; 548.4

Abstract

Based on the solution of equations of semi-chemical reactions, the calculation of radiation defects kinetics in silicon with the dopants P, B, Li, O, C has been carried out. Basic regularities of the change of secondary radiation defects concentration at a stage of isothermal annealing have been determined.

Author info

  • Nikolay M. Bogatov

    д-р физ.-мат. наук, профессор, академик АИН РФ, зав. кафедрой общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

  • Mikhail S. Kovalenko

    инженер кафедры общей физики и информационных систем Кубанского государственного университета

References

  1. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с.
  2. Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат, 1989. 96 с.
  3. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.
  4. Холодарь Г.А., Данковский Ю.И., Конопляный В.В., Винецкий В.Л. Непрямая рекомбинация вакансий и межузельных атомов в облучаемом кремнии // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 9. С. 1712-1718.
  5. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с.
  6. Gilmer T.E., Franks R.K., Bell R.I. An optimal study of lithium and lithium-oxygen complexes as donor impurities in silicon // Phys. Chem. Solids. 1965. Vol. 26. No 8. P. 1195-1204.
  7. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 205 с.
  8. Weinberg I., Irving, Swarts C. K., Mehta S. Increased radiation resistance in lithium - counterdoped silicon solar cells // Appl. Phys. Lett. 1984. Vol. 44. No 11. P. 1071-1073.
  9. Асеев А.Л., Федина Л.И., Хель Д., Барч Х. Скопление междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск.: Наука. Сиб. Отделение, 1991. 149 с.
  10. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского // Поверхность. 1999. №3. С. 72-78.
  11. Богатов Н.М. Радиационные дефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского, легированном литием // Поверхность. 1999. №8. С. 66-69.

Downloads

Download data is not yet available.

Downloads

Issue

No. 3 (2006)

Pages

77-83

Section

Chemistry

Dates

Submitted

July 10, 2006

Accepted

July 29, 2006

Published

September 25, 2006

How to Cite

[1]
Bogatov, N.M., Kovalenko, M.S., Modeling of radiation defects annealing in lithium-doped silicon. Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation, 2006, № 3, pp. 77–83.

License

Copyright (c) 2006 Богатов Н.М., Коваленко М.С.

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Most read articles by the same author(s)

1 2 > >>