Изменение плотности электронных состояний наноразмерных областей разупорядочения, созданных электронами в кремнии
УДК
532.2Аннотация
Рассчитаны зависимости распределения плотности электронных состояний в запрещенной зоне кремния от энергии для различных значений параметров областей разупорядочения. Показано, что основной вклад дают энергетические уровни вакансионного происхождения, хаотически распределенные в пределах области разупорядочения.
Ключевые слова:
кремний, область разупорядочения, электронные состоянияБиблиографические ссылки
- Наноэлектроника. Часть 1. Введение в наноэлектронику / Под. ред. Орликовского А.А. М.: МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009. 720 с.
- Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. 592 с.
- Богатов Н.М., Коваленко М.С. Кремний с наноразмерными областями разупорядочения // Современные наукоёмкие технологии. 2008. №2. С. 109-110.
- Кузнецов Н.В., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат. 1989. 96 с.
- Кинчин Г.Х., Пиз Р.С. Смещение атомов твердых тел под действием излучения // Успехи физ. наук. 1956. Т. 60. №4. С. 590-615.
- Lindhard J., Nielson V., Scharff M., Thomson P.V. Integral equations covering radiation effects notes an atomic collision II // Kgl. Danske Vid. Selsk. Mat. Fys. Medd. 1963. Vol. 33. No 10. P. 14-42.
- Van Lint V.A., Leadon R.E., Colwell J.F. Energy dependence of displacement effects in semiconductors // IEEE Trans. of Nucl. Sci. 1972. Vol. NS-19. No 6. P. 181-185.
- Van Lint V.A., Leadon R.E. Implications of cluster model of neutron effects in silicon // Lattice Defects in Semiconductors. Conf. 1974. London-Bristol. Institute of Physics. 1975. P. 227-232.
- Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (теория, метод расчета, таблицы). Минск. БГУ. 1980. 352 с.
- Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь. 1981. 248 с.
- Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Т. 2. Экспериментальные аспекты. М.: Мир. 1985. 304 с.
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977. 672 c.
- Andersen H.H., Csete A., Ichioka T., Knudsen H., Moller S.P., Uggerhoj U.I. An apparatus to measure stopping powers for low-energy antiprotons and protons // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В. 2002. Vol. 194. P. 217-225.
- Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.
- Nieminen R.M., Puska M.J. Vacancy defects in c-Si: electronic and ionic structures // Properties of Crystalline Silicon, London: INSPEC, The Institution of Electrical Engineers, 1999. P. 309-318.
Скачивания
Загрузки
Даты
Поступила в редакцию
24 февраля 2011
Принята к публикации
9 марта 2011
Публикация
25 марта 2011
Как цитировать
[1]
Богатов, Н.М., Коваленко, М.С., Изменение плотности электронных состояний наноразмерных областей разупорядочения, созданных электронами в кремнии. Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества, 2011, № 1, pp. 19–24.
Лицензия
Copyright (c) 2011 Богатов Н.М., Коваленко М.С.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
