Токовые характеристики нанокристаллического порошкового кремния, полученного методом высокотемпературного плазмохимического синтеза
УДК
53.096, 53.097Аннотация
Рассмотрены электрические характеристики наноструктурированного порошкового кремния, полученного методом плазмохимического синтеза при температуре 8000°-12000 °C: температурные зависимости проводимости, энергии активации, ВАХ при разном давлении, прикладываемом к порошку.
Ключевые слова:
нанокристаллический кремний, плазмохимический синтез, удельная проводимость, энергии активации, вольт-амперные характеристикиБиблиографические ссылки
- Сенников П.Г., Голубев С.В., Шашкин В.И. [и др.]. Получение слоев нанокристаллического кремния плазмохимическим осаждением из газовой фазы тетрафторида кремния // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 7. С. 1002-1006. [Sennikov P.G., Golubev S.V., Shashkin V.I. [et. al.]. Fabrication of nanocrystalline silicon layers by plasma enhanced chemical vapor deposition from silicon tetrafluoride. Semiconductors, 2009, vol. 43, iss. 7, pp. 968-972.]
- Певцов А.Б., Феоктистов Н.А. Пленки нанокристаллического кремния, полученные методом микроволнового плазмохимического газофазного осаждения в условиях импульсной модуляции мощности разряда // ПЖТФ. 2002. Т 28. Вып. 7. С. 89-94. [Pevtsov A.B., Feoktistov N.A. Plyonki nanokristallicheskogo kremniya, poluchennyye metodom mikrovolnovogo plazmohimicheskogo gazofaznogo osazhdeniya v usloviyah impulsnoy modulyatsii moschnosti razryada [Nanocrystalline silicon films prepared by microwave plasma chemical vapor deposition in the discharge power width modulation]. Pisma v ZhTF [Letters to the JTPh], 2002, vol. 28, iss. 7, pp. 89-94.]
- Ефремов М.Д., Аржанникова С.А., Володин В.А. [и др.]. Нанометровые кластеры и нанокристаллы кремния // Вестник НГУ. Серия: Физика. 2007. Т. 2. Вып. 2. С. 51-60. [Yefremov M.D., Arzhannikova S.A., Volodin V.A. [et al.]. Nanometrovyye klastery i nanokristally kremniya [Nanometer clusters and silicon nanocrystals]. Vestnik NGU.Seriya: Fizika [Vestnik of NGU. Series: Physics]. 2007, vol. 2, iss. 2, pp. 51-60.]
- Карлаш А.Ю., Кузнецов Г.В., Литвиненко С.В. [и др.]. Влияние динамического режима адсорбции на импеданс композитных структур с пористым кремнием // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 10. С. 1387-1393. [Karlach A.Yu., Kuznetsov G.V., Litvinenko S.V. [et al.]. The effect of the dynamic adsorption mode on impedance of composite structures with porous silicon. Semiconductors, 2010, vol. 44, iss. 10, pp. 1387-1393.]
- Кононов Н.Н., Кузьмин Г.П., Орлов А.Н. [и др.]. Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 7. С. 868-873. [Kononov N.N., Kuz'min G.P., Orlov A.N. [et al.]. Optical and electrical properties of thin wafers fabricated from nanocrystalline silicon powder. Semiconductors, 2005, vol. 39, iss. 7, pp. 868-873.]
- Грибов Б.Г., Зиновьев К.В., Калашник О.Н. [и др.]. Способ получения кремния высокой чистоты: пат. 2497753 Российская Федерация. 2013. [Gribov B.G., Zinovyev K.V., Kalashnik O.N. [et al.] Sposob polucheniya kremniya vysokoy chistoty [A method for producing high purity silicon]. Pat. 2497753 Rossiyskaya Federatsiya, 2013.]
- Wronski C.R., Collins R.W. Phase engineering of a-Si:H solar cells for optimized performance // Solar Energy. 2004. Vol. 77. P. 877-885.
- Juneja S., Sudhakar S., Khonina S.N. [et al.]. Nanocrystalline silicon thin films and grating structures for solar cells // Proceedings of SPIE. 2016. Vol. 9807. 98070F.
- Lee J.E., Ahn S.K., Park J.H. [et al.]. Boron-doped hydrogenated silicon carbide alloys containing silicon nanocrys-tallites for highly efficient nanocrystalline silicon thin-film solar cells // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. 2015. Vol. 23. Iss. 12. Pp. 1715-1723.
- Seif J.P., Descoeudres A., Nogay G. [et al.]. Strategies for Doped Nanocrystalline Silicon Integration in Silicon Heterojunction Solar Cells // IEEE Journal of Photovoltaics. 2016. Vol. 6. Iss. 5. Pp. 1132-1140.
- Touati H., Amiri B., Sebbak A.C. [et al.]. A numerical simulation of the effect of buffer layer band gap on the performances of nc-Si : H based solar cells // Journal of Nano- and Electronic Physics. 2016. Vol. 8. Iss. 2. 02008.
- Мазинов A.С., Шевченко А.И., Воскресенский В.М. [и др.]. Наноструктурированные полупроводники, полученные порошковым методом // Учёные записки Таврического национального университета имени В.И. Вернадского. Серия "Физико-математические науки". 2014. Т. 27 (66). № 2. С. 107-114. [Mazinov A.S., Shevchenko A.I., Voskresenskiy V.M. [et al.]. Nanostrukturirovannyye poluprovodniki, poluchennyye poroshkovym metodom [Nanostructured semiconductors obtained by the powder method]. Uchonyye zapiski Tavricheskogo natsionalnogo universiteta imeni V.I. Vernadskogo. Seriya "Fiziko-matematicheskiye nauki" [Scientific notes of Taurida National V.I. Vernadsky University. Series "Physics and Mathematics Sciences"]. 2014, vol. 27 (66), no. 2, pp. 107-114.]
- Мазинов А.С., Шевченко А.И., Воскресенский В.М., Куропаткин А.И. Наноструктурные полупроводники на основе порошковой технологии // Материалы 24-й Международной Крымской конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2014)". Севастополь. Изд-во Вебер, 2014. С. 740-741. [Mazinov A.S., Shevchenko A.I., Voskresenskiy V.M. [et al.]. Kremniyuglerodnyye struktury dlya sovremennoy mikro- i nanoelektroniki [Silicon-carbon structures for modern micro- and nanoelectronics]. Materialy 25-y Mezhdunarodnoy Krymskoy Konferentsii "SVCh-tekhnika i telekommunikatsionnyye tekhnologii (KryMiKo'2015)" [25th International Crimean Conference Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo'2015). Conference Proceedings]. Sevastopol, Veber Publ., 2015, pp. 689-690.]
- Мазинов А.С., Шевченко А.И., Воскресенский В.М. [и др.]. Кремнийуглеродные структуры для современной микро- и наноэлектроники // Материалы 25-й Международной Крымской конференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015)". Севастополь. Изд-во Вебер, 2015. С. 689-690. [Mazinov A.S., Shevchenko A.I., Voskresenskiy V.M., Kuropatrin A.I. Nanostrukturnyye poluprovodniki na osnove poroshkovoy tehnologii [Nanostructural semiconductors based on powder technology]. Materialy 24-y Mezhdunarodnoy Krymskoy Konferentsii "SVCh-tekhnika i telekommunikatsionnyye tekhnologii (KryMiKo'2014)" [24th International Crimean Conference Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo'2014). Conference Proceedings]. Sevastopol, Veber Publ., 2014, pp. 740-741.]
- Бахов В.А., Мазинов А.С., Наздёркин Е.А., Писаренко Л.Д. Влияние структурной неоднородности на проводимость полупроводниковых материалов // Электроника и связь. 2011. Т. 4 (63). C. 11-14. [Bahov V.A., Mazinov A,S., Nazdyorkin Ye.A., Pisarenko L.D. Vliyaniye strukturnoy neodnorodnosti na provodimost poluprovodnikovyh materialov [The impact of structural heterogeneity on the conductivity of semiconductor materials]. Elektronika i svyaz [Electronics & Communications]. 2011, vol.4 (63), pp. 11-14.]
Скачивания
Загрузки
Даты
Поступила в редакцию
30 января 2017
Принята к публикации
13 февраля 2017
Публикация
30 марта 2017
Как цитировать
[1]
Мазинов, А.С.-А., Шевченко, А.И., Карпенко, Н.И., Гурченко, В.С., Токовые характеристики нанокристаллического порошкового кремния, полученного методом высокотемпературного плазмохимического синтеза. Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества, 2017, № 1, pp. 59–64.
Лицензия
Copyright (c) 2017 Мазинов А.С., Шевченко А.И., Карпенко Н.И., Гурченко В.С.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
