Колебательная система релаксационного типа на основе полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом
УДК
621.385Аннотация
Предложена эквивалентная схема полупроводниковой структуры с поверхностно-барьерным переходом, с помощью которой получено аналитическое выражение для периода колебаний тока и напряжения. Изучено влияние типа емкости контакта с поверхностно-барьерным переходом на длительность отдельных фаз протекания тока через полупроводниковую структуру. Выявлена взаимосвязь между химическим составом полупроводника, используемого для изготовления образцов полупроводниковых структур с поверхностно-барьерным переходом и частотой колебаний тока и напряжения.
Ключевые слова:
полупроводниковая структура, поверхностно-барьерный переходБиблиографические ссылки
- Косман М.С., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях // ФТТ. 1961. Т. 3. №11. С. 2504-2506.
- Муравский Б.С. Исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния // ФТТ. 1962. Т. 9. №4. С. 2485-2489.
- Муравский Б.С. Кузнецов В.И., Фризен Г.И., Черный В.Н. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока // ФТП. 1972. Т. 6. С. 2114-2122.
- Муравский Б.С., Куликов О.Н. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p$^+$-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе // ФТП. 2003. Т. 37. В. 4. С. 393-397.
- Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Электрофизические и фотоэлектрические своцства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе // Журнал радиоэлектроники 2000 №10. http://jre.cplire.ru/win/oct00/2/text.html.
- Муравский Б.С. Неравновесные процессы и токовая неустойчивость в контактах металл-полупроводник: Дисс. … д-ра физ.-мат. наук, 1983. Л. 413 с.
- Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М. Наука. 1981. 915 с.
- Мигулин В.В., Медведев В.И., Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Основы теории колебаний. М.: Наука. 1978. 392 с.
- Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М.: Высшая школа. 1984. 528 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 2 т. М.: Мир. 1984. 912 с.
- Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. 1980. 296 с.
Загрузки
Выпуск
Страницы
Отправлено
Опубликовано
Как цитировать
Copyright (c) 2012 Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.