Структура энергетических уровней отрицательно заряженного триона, локализованного в окрестности квантовой точки
УДК
538.915DOI:
https://doi.org/10.31429/vestnik-15-2-70-73Аннотация
Рассмотрен один из типов квазичастиц в электронно-дырочной плазме, имеющей место в полупроводниках – квазичастица, состоящая из двух электронов и дырки – отрицательно заряженный трион. Обсуждаются условия стабильности триона. Составлен гамильтониан, описывающий отрицательно заряженный трион, захваченныйосцилляторным потенциалом точечного дефекта в полупроводниковом гетерослое. Найдена волновая функция триона в приближении Хартри-Фока в на низшем порядке теории возмущений, в этом же порядке найдены энергия основного и низколежащих возбужденных состояний. Показано, что существуют два типа отрицательно заряженных трионов, отличающихся величиной суммарного спина двухэлектронной подсистемы триона.
Ключевые слова:
полупроводниковая гетероструктура, электрон, дырка, квазичастица, трион, точечный дефект, осцилляторный потенциал, волновая функция трионаИнформация о финансировании
Работа выполнена в рамках гранта № 16-42-230280 "Теоретическое и экспериментальное исследование коллективных явлений в электронно-дырочных системах в полупроводниковых наноструктурах".
Библиографические ссылки
- Давыдов А.С. Теория твердого тела. М.: Наука, 1976. 640 с. [Davydov, A.S. Solid state theory. Nauka, Moscow, 1976. (In Russian)]
- Сергеев Р.А., Сурис Р.А. Энергия основного состояния Х- и Х+-трионов в двумерной квантовой яме при произвольном соотношении масс // Физика твердого тела. 2001. Т. 43. Вып. 4. С. 714-718. [Sergeev, R.A., Suris, R.A. Energy of the ground state of X- and X+-trions in a two-dimensional quantum well with an arbitrary mass ratio. Physics of a solid, 2001, vol. 43, iss. 4, pp. 714-718. (In Russian)]
- Lampert M.A. Mobile and immobile effective-mass-particle complexes in nonmetallic solids // Physical Review Letters. 1958. Vol. 1. No. 12. P. 450-453.
- Kheng K., Cox R.T., d' Aubigné M.erl..Y, et al. Observation of negatively charged excitons X- in semiconductor quantum wells // Physical Review Letters. 1993. Vol. 71. No. 11. P. 1752-1756.
- Семина М.А., Сергеев Р.А., Сурис Р.А. Локализация электронно-дырочных комплексов на флуктуациях интерфейсов квантовых ям // Физика и техника полупроводников. 2006. Вып. 11. С. 1373-1380. [Semina, M.A., Sergeev, R.A., Suris, R.A. Localization of electron-hole complexes on the fluctuations of quantum well interfaces. Physics and technology of semiconductors, 2006, iss. 11, pp. 1373-1380. (In Russian)]
- Сибельдин Н.Н. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках и низкоразмерных структурах // Успехи физических наук. 2017. Т. 187. № 11. С. 1236-1270. [Sibeldin, N.N. Electron-hole liquid in semiconductors and low-dimensional structures. Uspekhi Fizicheskikh Nauk [Successes of physical sciences], 2017, vol. 187, no. 11, pp. 1236-1270. (In Russian)]
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. М.: Физматлит, 2016, 800 с. [Landau, L.D., Lifshitz, E.M. Quantum mechanics. Nonrelativistic theory. Fizmatlit, Moscow, 2016. (In Russian)]
Скачивания
Загрузки
Даты
Поступление
После доработки
Публикация
Как цитировать
Лицензия
Copyright (c) 2018 Кургачёв А.Ю., Лигачёв Д.В., Рудоман Н.Р., Тумаев Е.Н.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
