Oscillatory system of relaxation type on the base semiconductor structures with surface-barrier junction

Authors

  • Bogatov N.M. Kuban State University, Krasnodar, Russian Federation
  • Grigoryan L.R. Kuban State University, Krasnodar, Russian Federation
  • Kulikov O.N. Kuban State University, Krasnodar, Russian Federation

UDC

621.385

EDN

PWYHHJ

Abstract

In this paper we suggest the equivalent circuit of semiconductor structure, with help of which the analytical expression for the period of current and voltage oscillations has been obtained. We investigated the influence of surface-barrier junction contact capacity type on duration of separate phases of a current passing through the semiconductor structure. We obtained correlation between chemical composition of the semiconductor used for manufacturing semiconductor structure samples and frequency of current and voltage oscillations

Keywords:

semiconductor structure, surface-barrier junction

Authors info

  • Nikolay M. Bogatov

    д-р физ.-мат. наук, профессор, заведующий кафедрой физики и информационных систем Кубанского государственного университета

  • Leontiy R. Grigoryan

    канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета

  • Oleg N. Kulikov

    соискатель кафедры физики и информационных систем Кубанского государственного университета

References

  1. Косман М.С., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях // ФТТ. 1961. Т. 3. №11. С. 2504-2506.
  2. Муравский Б.С. Исследование аномальных характеристик точечных контактов с поверхностью германия и кремния // ФТТ. 1962. Т. 9. №4. С. 2485-2489.
  3. Муравский Б.С. Кузнецов В.И., Фризен Г.И., Черный В.Н. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока // ФТП. 1972. Т. 6. С. 2114-2122.
  4. Муравский Б.С., Куликов О.Н. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе // ФТП. 2003. Т. 37. В. 4. С. 393-397.
  5. Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н. Электрофизические и фотоэлектрические своцства транзисторных структур с распределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе // Журнал радиоэлектроники 2000 №10. http://jre.cplire.ru/win/oct00/2/text.html.
  6. Муравский Б.С. Неравновесные процессы и токовая неустойчивость в контактах металл-полупроводник: Дисс. … д-ра физ.-мат. наук, 1983. Л. 413 с.
  7. Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М. Наука. 1981. 915 с.
  8. Мигулин В.В., Медведев В.И., Мустель Е.Р., Парыгин В.Н. Основы теории колебаний. М.: Наука. 1978. 392 с.
  9. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. Электрические цепи. М.: Высшая школа. 1984. 528 с.
  10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 2 т. М.: Мир. 1984. 912 с.
  11. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. 1980. 296 с.

Downloads

Download data is not yet available.

Downloads

Issue

Vol.  (2012) No. 4

Pages

17-22

Section

Article

Dates

Submitted

February 17, 2012

Accepted

April 5, 2012

Published

December 25, 2012

How to Cite

[1]
Bogatov, N.M., Grigoryan, L.R., Kulikov, O.N., Oscillatory system of relaxation type on the base semiconductor structures with surface-barrier junction. Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation, 2012, № 4, pp. 17–22.

License

Copyright (c) 2012 Богатов Н.М., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н.

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Similar Articles

1-10 of 75

You may also start an advanced similarity search for this article.

Most read articles by the same author(s)

1 2 > >>