Моделирование радиационного образования наноразмерных дефектов в кремнии
УДК
538.97; 548.571; 548.4Аннотация
Разработана модель образования и миграции таких радиационных дефектов как вакансии и дивакансии. Предполагается, что под действием ионизирующего излучения образуются "горячие" вакансии, характеризующиеся тем, что распределение электронов в валентных связях между атомами еще не пришло в состояние равновесия после образования вакансии. Поведение таких "горячих" вакансий в кристалле существенно отличается от "холодных", находящихся в кремнии в термодинамическом равновесии. Рассмотрена кинетика образования и деградации дивакансий.
Ключевые слова:
вакансия, дивакансия, кремний, радиационное образование дефектов, концентрацияБиблиографические ссылки
- Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 919-921.
- Антонова И.В., Шаймеев С.С., Смагулова С.А. Трансформация при отжиге электрически активных дефектов в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 5. С. 557-562.
- Азаров А.Ю., Титов А.И. Накопление структурных нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами PFn+ средних энергий // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 1. С. 7-12.
- Бадылевич М.Ю., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Немонотонные изменения концентраций радиационных дефектов донорного и акцепторного типа в кремнии, индуцируемые потоками β-частиц малой интенсивности // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 12. С. 1409-1411.
- Мурин Л.И., Маркевич В.П., Медведева И.Ф., Dobaczewski L. Бистабильность и электрическая активность комплекса вакансия-два атома кислорода в кремнии // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 11. С. 1316-1320.
- Баранов П.Г., Ионов А.Н., Ильин И.В., Копьев П.С., Мохов Е.Н., Храмцов В.А. Электронный парамагнитный резонанс в нейтронно-легированных полупроводниках с измененным изотопным составом // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 6. С. 984-995.
- Пагава Т.А. Влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на природу радиационных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 4. С. 424-425.
- Пагава Т.А., Башелейшвили З.В. Влияние интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах i n- и р-типа // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 5. С. 542-543.
- Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 915-917.
- Онищук С.А. Деградация солнечных элементов при облучении протонами. Материалы четвертой южнороссийской научной конференции "Энерго- и ресурсосберегающие технологии и установки". Краснодар: КВВАУЛ, 2005. С. 153-156.
- Онищук С.А., Климова Г.И., Шкаранда В.А. Облучение радиационностойких солнечных элементов потоком протонов. Материалы Международной дистанционной научно-практической конференции "Процессы и явления в конденсированных средах". Краснодар: Кубанский гос. ун-т, 2005. С. 45-57.
- Онищук С.А. Деградация солнечных элементов при нейтронном и протонном облучении // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. 2007. №2. С. 40-48.
- Светухин В.В., Сидоренко О.Г. К вопросу о моделировании радиационного упрочнения и радиационного охрупчивания металлов и сплавов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. 2007. №2. С.49-58.
- Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1981. 368 с.
- Бурштейн А.И. Концентрационное тушение некогерентных возбуждений в растворах // УФН, 1984. Т. 143. Вып. 4. С. 553-600.
Скачивания
Загрузки
Даты
Поступила в редакцию
4 января 2009
Принята к публикации
31 января 2009
Публикация
27 марта 2009
Как цитировать
[1]
Онищук, С.А., Тумаев, Е.Н., Моделирование радиационного образования наноразмерных дефектов в кремнии. Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества, 2009, № 1, pp. 78–83.
Лицензия
Copyright (c) 2009 Онищук С.А., Тумаев Е.Н.
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
