Determining of capture time of nonequilibrium surface charge by open circuit voltage fall down in semi-conductor structures
UDC
621.383.51EDN
JUVLXFAbstract
The open circuit voltage $U_{oc}$ of silicon solar cells with the submicronic asymmetrical p-n-junction is investigated in the non-stationary mode. Dependence $U_{oc}(t)$ is explained by relaxation of the nonequilibrium surface charge on the boundary Si-SiO2 with the characteristic value of time $\tau\sim 1$ s.
Keywords:
semiconductor structures, photoelectric converters, surface states, nonequilibrium chargeReferences
- Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р., Яковенко Н.А. Автоматизация измерений спектральных характеристик двусторонних солнечных элементов // Автометрия. 2003. Т. 39. №6. С. 68-77.
- Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Исследование влияния неравновесного заряда границы SiO2-Si на динамику спектральной чувствительности солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Известия вузов. Сев.-Кавказ. регион. Технические науки. 2006. №2. С. 52-54.
- Богатов Н.М., Корнеев А.И., Матвеякин М.П., Родоманов Р.Р. Влияние неравновесного заряда границы SiO2-Si на нестационарность спектральной характеристики солнечных элементов с субмикронным p-n-переходом // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. 2006. №4. С. 63-67.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с.
- Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984. 254 с.
- Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: НТЛ, 2000. 426 с.
- Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. Школа, 1987. 239 с.
- Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела. М.: МГУ, 1999. 284 с.
- Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. 280 с.
Downloads
Download data is not yet available.
Downloads
Dates
Submitted
March 18, 2008
Accepted
March 21, 2008
Published
June 30, 2008
How to Cite
[1]
Bogatov, N.M., Matveyakin, M.P., Pershin, N.V., Rodomanov, R.R., Determining of capture time of nonequilibrium surface charge by open circuit voltage fall down in semi-conductor structures. Ecological Bulletin of Research Centers of the Black Sea Economic Cooperation, 2008, № 2, pp. 56–60.
License
Copyright (c) 2008 Богатов Н.М., Матвеякин М.П., Першин Н.В., Родоманов Р.Р.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
